Оптическое поглощение

Cтраница 1

Изменение коэффициента оптического поглощения аморфного сплава Si-B, осажденного при B2H6 / SiH4 1 10 2 в зависимости от квадрата энергии фотона. [1]

Оптическое поглощение необычно велико в широком диапазоне энергий фотонов. Из-за такого сильного поглощения при малых энергиях невозможно определить оптическую ширину запрещенной зоны обычными методами. [2]

Оптическое поглощение в кварце в области 3200 - 3700 см - связано с различным водородсодержащим дефектом. Поскольку такая компенсация осуществляется как щелочными ионами, так и протонами, то можно утверждать, что одной из основных характеристик всех кристаллов кварца являются концентрация структурной примеси алюминия и относительные концентрации различных ионов-компенсаторов. Следует также отметить, что в кварцах с радиационной цитриновой окраской осуществляется компенсация А1 - центров сложными дефектами, в состав которых входят как щелочной ион, так и протон. [3]

Оптическое поглощение галогенидои цезия с избытком галогена. [4]

Дрейфовая скорость электронов Физика этого процесса. [5]

Оптическое поглощение может возрастать за счет перехода носителей из одной зоны в другую в полупроводниках, имеющих несколько валентных зон. Например, в германии - типа полная валентная зона состоит из зоны / тяжелых дырок, зоны 2 легких дырок и зоны, отделенной от / и 2 спин-орбитальным промежутком шириной 0 29 эв. [6]

Зависимости коэффициентов ионизации от напряженности электрического поля для. [7]

Оптическое поглощение, вызванное образованием экситонов и испусканием фононов, наблюдается только при низких температурах. При повышении температуры оптическое поглощение происходит как с испусканием, так и с поглощением фононов. [8]

Оптическое поглощение может быть также связано с наличием дефектов, например центров окраски в кристаллах галогенидов щелочных металлов ( см. гл. Совершенные кристаллы галогенидов щелочных металлов прозрачны во всем видимом диапазоне; присутствие дефектов приводит к окрашиванию, обусловленному поглощением света в видимой области. [9]

Уровни энергии экситона.| Примесное поглощение алюминия в решетке кремния ( Na - концентрация примеси. [10]

Оптическое поглощение, обусловленное ионизацией или возбуждением примесных центров в кристалле, называется примесным. Как известно, при наличии в полупроводнике донорной и акцепторной примесей в его запрещенной зоне появляются локальные энергетические состояния. При освещении полупроводника светом наблюдается непрерывная полоса поглощения, вызываемая переходами электронов с энергетических уровней примеси в зону проводимости. Подобным образом электрон валентной зоны может быть переведен при освещении на акцепторный уровень. [11]

Оптическое поглощение, связанное с состояниями в запрещенной зоне. Широкая полоса поглощения, обнаруженная в области низких / iv на рис. 3.3.6, хорошо коррелирует со спиновой плотностью Ns, полученной методом ЭПР параллельно с ФАС-измерениями. [12]

Оптическое поглощение может наблюдаться при ионизации примесных центров водородоподобного типа. [13]

Оптическое поглощение в полупроводниках может быть связано с различными процессами. [14]

Изменение коэффициента оптического поглощения аморфного сплава Si-B, осажденного при B2H6 / SiH4 1 10 2 в зависимости от квадрата энергии фотона. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5