Плазменное поглощение
Cтраница 1
Плазменное поглощение возникает при достаточно больших концентрациях свободных носителей заряда и имеет важную особенность, так называемый плазменный резонанс. Так как коэффициент поглощения в некоторой окрестности плазменного резонанса весьма велик, то обычно исследуют не спектр поглощения, а спектр отражения. На частоте плазменного резонанса наблюдается минимум плазменного отражения, положение которого связано с концентрацией и эффективной массой носителей заряда. Плазменный минимум отражения различных полупроводников и металлов находится в довольно широких пределах в ближней или средней инфракрасной области спектра. [1]
На рис. 113 и 114 нельзя отобразить фононное и плазменное поглощение, так как уровни энергии, приведенные на этих рисунках, относятся к одноэлектронному приближению, и изобразить на этих диаграммах энергию колебаний решетки или системы электронов и дырок ( плазмы) в принципе невозможно. [2]
На рис. 98 и 99 нельзя отобразить фононное и плазменное поглощения, так как уровни энергии, приведенные на этих рисунках, относятся к одноэлектронному приближению и изобразить на этих диаграммах энергию колебаний решетки или системы электронов и дырок ( плазмы) в принципе невозможно. Экситон-ные переходы ( см. рис. 104) 5, 5а изображены здесь условно, так как задача о состояниях экситона - это задача о взаимодействии двух частиц: электрона и дырки, и показанные уровни Еэкс условно изображают состояние только одной частицы из этой пары - электрона. [3]
Поглощение света совокупностью свободных электронов и дырок называется плазменным поглощением. [4]
Поглощение света совокупностью свободных электронов и дырок называют плазменным поглощением. [5]
 |
Эффективная масса носителей заряда в германии, магнитное поле в плоскости ( ПО составляет угол 6 с направлением. [6] |
Если электромагнитная волна инфракрасная, то чистота образцов должна обеспечить отсутствие интерференции плазменного поглощения ( см. гл. [7]
В полупроводниках наблюдается несколько механизмов поглощения: собственное, или фундаментальное, поглощение; поглощение свободными носителями заряда; внутризонное поглощение; поглощение примесью: поглощение колебаниями решетки; экситон-ное поглощение; плазменное поглощение. [8]
В полупроводниках наблюдается несколько механизмов поглощения: собственное, или фундаментальное, поглощение; поглощение свободными носителями заряда; внутризонное поглощение; поглощение примесью; поглощение колебаниями решетки; экситонное поглощение; плазменное поглощение. [9]
Страницы: 1