Cтраница 4
ДА) В смысл кумулятивного коэффициента, отражающего все, часто противодействующие влияния этих реакций на ионные соотношения в равновесных фазах. Однако под / СА) В мы подразумеваем по-прежнему константу чистого ионного обмена. Отличие этого коэффициента от других заключается в том, что он не отражает прочности межионных связей или свойств молекул, образованных ионами. Меньшая гидратация способствует преимущественному поглощению иона, так как уменьшает набухание и соответственно снижает давление набухания ионита. В том же направлении действует высокая поляризуемость ионов ( Ag, T1 1), способствующая пространственному сближению и возрастанию силы притяжения разноименных зарядов фиксированного иона и противоиона. Число ионообменных систем типа I ( см. табл. 6), в которых влияние дополнительных реакций незначительно и равновесное распределение соответствует уравнению ( 4), сравнительно невелико. В табл. 6 приведены, как и для систем других типов, некоторые примеры. [46]
Поэтому для глубокого понимания роли ловушек и для управления процессами, протекающими с их участием, очень важно выяснение их физической и химической природы в тех случаях, когда роль ловушек доказана. Необходимо установление характеристик различных типов дефектов как ловушек электронов и дырок, соответствующих необлученным и облученным полупроводникам. Однако при этом возникает принципиальная трудность, связанная с весьма распространенной взаимосвязью появления дефектов различного типа. Так, в частности, поглощение чужеродного атома или иона растущим кристаллом является одной из типичных причин возникновения дислокации роста. В свою очередь, по дислокации любого происхождения происходит преимущественное поглощение примесей и вблизи их легче возникают другие структурные типы дефектов. Сходная картина наблюдается для вакансий в решетке, которые представляют излюбленное место захвата примесей и появления в решетке частиц с аномальной валентностью и с аномальным зарядом. [47]