Аномальное поглощение

Cтраница 3

Фотоны, энергия которых меньше 1 02 Мэв, не могут вызывать появления пар. Этим объясняется аномальное поглощение у-лу-чей, наблюдаемое, когда энергия фотонов превышает 1 1 Мэв. [31]

Показанное здесь различие волновых векторов / ( и К блоховских волн просто объясняет наблюдаемый экспериментально эффект биений. Для объяснения эффекта аномального поглощения следует рассмотреть факторц затухания этих волн при их распространении в кристалле. [32]

Аномально повышенное поглощение ВЧ-радиоволн в полярной ионосфере является одной из гл. Различают 4 типа аномального поглощения, каждый из к-рых соответствует определ, фазе в ходе развития ионосферного возмущения, следующего за вспышкой на Солнце: внезапное поглощение ( ВП), набяюдаег мое на всей освещенной полусфере Земли, обусловленной эмиссией излучения во время солнечных вспышек; поглощение полярной шапки ( ППШ), к-рое наблюдается в приполюсной области на широтах, превышающих Ф к 60; поглощение с внезапным началом ( ПВН), возникающее в период внезапного начала магн. Обусловлено вспышками тормозного рентг. [33]

Очень важным является объяснение аномального поглощения в критической области на основе молекулярно-кине-тической теории. Можно предположить, что аномальное поглощение ультразвуковых волн связано с их сильным рассеянием в критической области на обычных флуктуа-циях плотности, как это имеет место для рассеяния света. [34]

На рис. 148 даны результаты этих исследований. Прежде всего обращает на себя внимание аномальное поглощение ультразвуковой энергии вблизи критической точки жидкость-пар. [35]

Обскурограмма пинча в плазменном фокусе. а - в режиме с одним сжатием. б - в режиме с двумя сжатиями. [36]

Когда происходит обрыв тока, то скорость электронов достигает - 10 см / с, вместо электрач. В фокальной зоне вблизи анода он испытывает аномальное поглощение, порождая мощную ударную волну, к-рая, проходя через пинч, нагревает его до темп-ры - ( 2 - 3 - 107 К ( 2 - 3 кэВ) и дает мощную вспышку нейтронного излучения. [37]

Объем материала, посылающего дифрагированные лучи в точку В на нижней поверхности фольги ( t - толщина фольги. [38]

При этом длина 0 определяет обычное ослабление интенсивности как прошедшего, так и дифрагированного лучей за счет поглощения или неупругого рассеяния. Длина gg вводится для формального описания так называемого аномального поглощения. [39]

Вскоре после своих первых опытов Блеккет и Оккиалини высказали предположение, что интерпретация некоторых, уже наблюдавшихся явлений может быть облегчена, если допустить существование положительных электронов. К этим явлениям относятся, с одной стороны, аномальное поглощение тяжелыми элементами фотонов с большой энергией, с другой стороны, испускание электронов, невидимому, направленных, если они отрицательные, к источникам излучений, испускающим нейтроны и фотоны. [40]

Из приведенных выше соображений следует, что фотон с энергией ниже 1 02 - 10 эв не способен вызвать испускание положительного электрона. Это замечание можно связать с тем фактом, что аномальное поглощение - - лучей с высокой энергией тяжелыми элементами начинается при энергии фотонов выше 1 1 - 10 эв. Гентнер в Парижском институте радия нашел, что аномальное поглощение [ - ПУ - чей в свинце начинается при энергии 1 1 - 10 эв. [41]

Все сказанное выше справедливо только в случае тонкого кристалла или большого отклонения от брэгговского положения, когда применима кинематическая теория рассеяния. На практике же используются толстые фольги, и поэтому следует учитывать аномальное поглощение. [42]

Его характерной чертой является различие в знаке, что приводит к усилению поглощения одного поля и существенному ослаблению поглощения другого поля. Другими словами, при рассеянии рентгеновских лучей в поглощающем кристалле возникает аномальное поглощение одного поля и аномальное прохождение рентгеновских лучей другого поля. При достаточной толщине t кристаллической пластинки проходящая и дифрагированная волны в вакууме будут формироваться только за счет одного из полей в кристалле. [43]

Зависимость теплоемкости отожженных образцов поливинилацета-та от температуры при нагревании их с разными скоростями ( / - 01 К / мин. 2 - 0 4 К / мин и 3 - 1 5 К / мин. [44]

При нагревании с разными скоростями отожженных образцов, имеющих одинаковую тепловую предысторию, пики будут тем выше, чем больше скорость нагревания, ибо при этом замороженная в образце структура в большей степени отличается от равновесной структуры ПВА при температуре размягчения. Поэтому чем больше скорость нагревания, тем выше по температурной шкале располагается область аномального поглощения теплоты. [45]

Страницы: 1 2 3 4