Внутризонное поглощение
Cтраница 1
Внутризонное поглощение наблюдается в веществах, имеющих сложную структуру зон, подобно валентной зоне германия и кремния. [1]
Внутризонное поглощение наблюдается в веществах, имеющих сложную структуру зон, подобно валентной зоне германия и кремния. [2]
При внутризонном поглощении коэффициент поглощения вблизи основного края а - 104 см 1, и радиация полностью поглощается в пределах 1 мкм от поверхности. [3]
Оценим разогрев электрон-дырочного газа за счет внутризонного поглощения ЭМП. [4]
Зависимость проводимости от частоты, обусловленная внутризонным поглощением или поглощением на свободных носителях. [5]
Поглощение, быстро растущее в длинноволновой части, соответствует неселективному внутризонному поглощению. При измерениях такого поглощения в полупроводниках переменного состава GaAs P было установлено, что этот пик пропадает как только долина зоны проводимости в точке / ( рис. 121, б) становится наинизшей и в нее переходят все электроны. [6]
Когда fico больше энергии, необходимой для осуществления межзонных переходов, проводимость сильно возрастает, и внутризонным поглощением или поглощением на свободных носителях обычно пренебрегают по сравнению с межзонным. Эта тема будет рассмотрена в § 4 настоящей главы. [7]
В полупроводниках наблюдается несколько механизмов поглощения: собственное, или фундаментальное, поглощение; поглощение свободными носителями заряда; внутризонное поглощение; поглощение примесью: поглощение колебаниями решетки; экситон-ное поглощение; плазменное поглощение. [8]
В полупроводниках наблюдается несколько механизмов поглощения: собственное, или фундаментальное, поглощение; поглощение свободными носителями заряда; внутризонное поглощение; поглощение примесью; поглощение колебаниями решетки; экситонное поглощение; плазменное поглощение. [9]
В полупроводниках n - типа также возможно селективное поглощение свободными электронами, связанное с переходами между подзонами в зоне проводимости. Поглощение, быстро растущее в длинноволновой части, соответствует неселективному внутризонному поглощению. При измерениях такого поглощения в полупроводниках переменного состава GaAs Pje было установлено, что этот пик пропадает как только долина зоны проводимости в точке / ( рис. 131, б) становится наинизшей и в нее переходят все электроны. [11]
Поскольку энергия фотона недостаточна, чтобы вызвать межзонные переходы, то главный эффект заключается в изменении энергетического состояния электрона внутри одной энергетической зоны. Если все энергетические состояния внутри зоны заполнены, никакое изменение состояний внутри зоны невозможно вследствие принципа запрета, который запрещает более чем одному электрону занимать данное состояние. Поэтому внутризонное поглощение, которое заключается в поглощении излучения и возбуждении электронов внутри зоны, можег иметь место только для частично заполненной энергетической зоны. В полупроводниках в этом взаимодействии участвуют в основном электроны со дна зоны проводимости, известные под названием свободных носителей. Поэтому внутризонное поглощение также называется поглощением на свободных носителях. [12]
Поскольку энергия фотона недостаточна, чтобы вызвать межзонные переходы, то главный эффект заключается в изменении энергетического состояния электрона внутри одной энергетической зоны. Если все энергетические состояния внутри зоны заполнены, никакое изменение состояний внутри зоны невозможно вследствие принципа запрета, который запрещает более чем одному электрону занимать данное состояние. Поэтому внутризонное поглощение, которое заключается в поглощении излучения и возбуждении электронов внутри зоны, может иметь место только для частично заполненной энергетической зоны. В полупроводниках в этом взаимодействии участвуют в основном электроны со дна зоны проводимости, известные под названием свободных носителей. Поэтому внутризонное поглощение также называется поглощением на свободных носителях. [13]
Поскольку энергия фотона недостаточна, чтобы вызвать межзонные переходы, то главный эффект заключается в изменении энергетического состояния электрона внутри одной энергетической зоны. Если все энергетические состояния внутри зоны заполнены, никакое изменение состояний внутри зоны невозможно вследствие принципа запрета, который запрещает более чем одному электрону занимать данное состояние. Поэтому внутризонное поглощение, которое заключается в поглощении излучения и возбуждении электронов внутри зоны, можег иметь место только для частично заполненной энергетической зоны. В полупроводниках в этом взаимодействии участвуют в основном электроны со дна зоны проводимости, известные под названием свободных носителей. Поэтому внутризонное поглощение также называется поглощением на свободных носителях. [14]
Поскольку энергия фотона недостаточна, чтобы вызвать межзонные переходы, то главный эффект заключается в изменении энергетического состояния электрона внутри одной энергетической зоны. Если все энергетические состояния внутри зоны заполнены, никакое изменение состояний внутри зоны невозможно вследствие принципа запрета, который запрещает более чем одному электрону занимать данное состояние. Поэтому внутризонное поглощение, которое заключается в поглощении излучения и возбуждении электронов внутри зоны, может иметь место только для частично заполненной энергетической зоны. В полупроводниках в этом взаимодействии участвуют в основном электроны со дна зоны проводимости, известные под названием свободных носителей. Поэтому внутризонное поглощение также называется поглощением на свободных носителях. [15]
Страницы: 1