Многофононное поглощение

Cтраница 1

Многофононное поглощение может возникать как в ионных, так и в гомеополярных кристаллах. При взаимодействии фотона с двумя или несколькими фононами вклады в спектр могут вносить фононы с любым волновым вектором, так как в этом случае сохранение момента осуществляется несколькими фононами. Это позволяет получить частоты фононов в различных точках дисперсионных кривых. [1]

Дисперсионные кривые для арсенида галлия.| Полосы колебаний решетки в ИК-спектре кристалла германия. [2]

Многофононное поглощение обнаруживают алмаз и другие полупроводниковые кристаллы типа алмаза ( кремний и германий), а также ге-терополярный кристалл карборунда, имеющий ковалентные связи. Алмаз исследован с помощью ИК-спектров и спектров комбинационного рассеяния; для кремния и германия имеются данные как ИК-спектров, так и рассеяния медленных нейтронов. [3]

Спектр фононного поглощения в GaAs в области энергий 0 04 - 0 07 эВ. [4]

Спектр многофононного поглощения образует широкую полосу в ИК-обла-сти, на фоне которой различаются отдельные резонансные пики для наиболее вероятных комбинаций фононов. [5]

По-видимому, доля многофононного поглощения уменьшается с увеличением эффективного заряда. [6]

Внутренние оптические потери, выраженные через произведенное тепло на единицу длины и на единицу мощности излучения накачки, показаны как функция частоты лазерного излучения для трех характерных оптических материалов. Сплошные V-образные кривые представляют собой суммарный вклад многофононного оптического поглощения и поглощение на краю Урбаха ( кроме кривой для КС1, где оно слишком мало. Пунктиром показан нагрев, происходящий из-за ра-мановского рассеяния. Все кривые приведены для температуры 300 К. Источники., , , ,. [7]

Экситонные переходы, эффекты внутреннего электронного или многофононного поглощения на примесях, поглощение на свободных носителях - эти механизмы рассматриваются нами как малозначительные или весьма ограниченные в интересующем нас диапазоне частот, чтобы вносить заметный вклад в выделение тепла. [8]

Спектр фононного поглощения в QaAs в области энер. ГИЙ 0 04 - 0 07 эВ. [9]

Расшифровкой спектров фононного поглощения были найдены комбинации фононов, участвующих в многофононном поглощении. [10]

Возвращаясь к рис. 3.12, видно, что V-образные кривые показывают суммарный спектр поглощения ( многофононное поглощение и поглощение на краю Урбаха) при комнатной температуре как для кремниевого, так и для тяжелого металфлюридного стекол. У кристаллического хлорида калия электронное поглощение настолько мало в районе до 20000 см 1, что показана только кривая, соответствующая многофононному поглощению. [11]

Спектр фононного поглощения в QaAs в области энер. ГИЙ 0 04 - 0 07 эВ. [12]

Комбинаций фононов, удовлетворяющих этим правилам, а также некоторым другим правилам отбора, требуемым в многофононном поглощении, очень много, и это обусловливает сложность спектров фононного поглощения. Спектр многофононного поглощения образует широкую полосу в ИК-об-ласти, на фоне которой различаются отдельные резонансные пики для наиболее вероятных комбинаций фононов. [13]

Страницы: 1 2