Однофононное поглощение

Cтраница 1

Однофононное поглощение такого типа наблюдается лишь у ионных кристаллов и является следствием сохранения момента при взаимодействии фотон-фонон; при этом в связи с ограничениями значений волнового вектора нельзя получить подробной информации относительно спектра фононов. [1]

Спектры ПК-поглощения алмазов типа la в однофононной области. [2]

Однофононное поглощение алмазов этого типа обусловлено примесными центрами в виде одиночных атомов азота, замещающих атомы углерода в решетке. [3]

Особенности однофононного поглощения алмаза связаны с различным структурным положением в кристаллической решетке изоморфного азота - главной примеси в алмазах. [4]

Схема, поясняющая од-нофононное оптическое поглощение. [5]

Коэффициент поглощения для однофононного поглощения достигает довольно высоких значений а я 10 см 1 при сравнительно небольшой ширине линии в спектре поглощения. [6]

Теплопроводность облученных электронами природных алмазов после изохронного отжига. [7]

На рис. 97 показана зависимость теплопроводности кристаллов с различной концентрацией лонсдейлита от интенсивности однофононного поглощения. Характер этой зависимости, в отличие от приведенной на рис. 95 для дефектов примесного типа [274], а также корреляция данных ЭПР ( наличие узкой линии в спектре) и ИК-поглощения ( а123о) могут быть связаны с дислокационной структурой межфазной границы кубической и гексагональной модификаций у алмазов, содержащих лонсдейлит. [8]

Ими показано, что в далекой инфракрасной области диэлектрические потери можно интерпретировать с точки зрения однофононного поглощения, в то время как в низкочастотном субмиллиметровом и миллиметровом диапазонах диэлектрическое поглощение описывается трехфононными процессами. [9]

Современные методы введения дефектов в кристаллическую решетку, как физические, так и химические, позволяют получить спектры кристаллов, которые в чистом виде не обнаруживают однофононного поглощения. [10]

Некоторые из таких модифицированных колебаний, которые ранее в чистом кристалле не взаимодействозали с инфракрасным излучением, приводят к появлению дополнительных линейных членов в разложении диполь-ного момента и, следовательно, к дополнительному однофононному поглощению. [11]

Эти кристаллы обладают полупроводниковыми свойствами и относятся к полупроводникам р-типа. Интенсивность полосы 2810 см - пропорциональна концентрации нескомпенсированных акцепторов Nд - ND [286] и коррелирует с интенсивностью однофононного поглощения. [12]

Спектры ПК-поглощения алмазов имеют в области 1600 - 5000 см - ряд полос поглощения, интенсивность и форма которых одинаковы для кристаллов всех типов. Интенсивность поглощения алмазов в отмеченной области заметно зависит от температуры. Несмотря на отсутствие проявления однофононного поглощения в спектрах бездефектных кристаллов алмаза, возможно взаимодействие электромагнитного излучения одновременно с двумя ( и более) фононами. Следовательно, наблюдаемые полосы поглощения соответствуют колебательным переходам с участием нескольких фононов алмазной решетки. [13]

Однако, именно особенности спектров ИК-поглощения послужили основанием для разделения кристаллов алмаза на два типа. Кристаллы, в спектрах которых наблюдается поглощение в районе 700 - 1400 см -, были отнесены к типу I. Интенсивность и форма полос поглощения в этом районе спектра индивидуальны для каждого кристалла алмаза и определяются количеством и типом структурных дефектов. Возможность проявления однофононного поглощения решеткой типа алмаза в присутствии дефектов была теоретически обоснована в 1958 г. Лоудсоном. [14]

Схема, поясняющая од-нофононное оптическое поглоще ние. [15]

Страницы: 1 2