Решеточное поглощение
Cтраница 1
Решеточное поглощение в Ge в области 1б - 35 мкм было измерено Коллинзом и Феном [160], чьи результаты приведены на фиг. [1]
Решеточное поглощение в кремнии мет ряд полос в области 10 - 20 мкм, наиболее сильная из них, при - 16 5 мкм, характеризуется коэффициентом поглощения - 9 см 1 [160] ( фиг. Лоудон и Джонсон [430] установили корреляцию между наблюдаемыми решеточными полосами и результатами экспериментов по рассеянию нейтронов; им удалось приписать наблюдаемые частоты комбинациям фононов, относящихся к различным критическим точкам в зоне Бриллюэна. [2]
Решеточное поглощение обусловлено взаимодействием излучения с колебательным движением кристаллической решетки. [3]
Решеточное поглощение излучения возникает в тех случаях, когда при движении атомов, образующих решетку, возникает электрический дипольный момент, взаимодействующий с электрическим полем излучения. В гомеополярных кристаллах типа Ge и Si электрический момент возникает в результате деформации электронных оболочек атомов при их движении. [4]
Решеточное поглощение электромагнитной энергии связано с возбуждением колебаний решетки. [6]
Анизотропия решеточного поглощения определяется структурой тензора вязкостей. Кроме того, в кристаллах, обладающих значит, теплопроводностью ( напр. Термоупругая диссипация также приводит к квадратичной зависимости коэф. [7]
Для уменьшения основного решеточного поглощения звука, маскирующего эффект АПР, измерения проводят при гелиевых темп - pax. Серия эхо-сигналов поступает в приемник 4, где и регистрируется. Для наблюдения АПР на частотах 10й - 10 3 Гц используются методы излучения и приема упругих колебаний с ПОМОЩЬЕО сверхпроводящих пленок, нанесенных на торцы исследуемого образца. В таких устройствах электроны сверхпроводника переводятся в возбужденное состояние за счет электрич. Рекомбинация возбужденного состояния сопровождается излучением монохроматич. [8]
Закон сохранения квазиимпульса требует участия фононов в решеточном поглощении. Действительно, поглощаться могут только такие фотоны, импульс которых равен квазиимпульсу фононов. Импульс фотона h / K пренебрежимо мал по сравнению с квазиимпульсом фонона, который может достигать значения h / a. Закон сохранения квазиимпульса выполняется только в случае, если испущены два или более фонона. Все это приводит к весьма сложной структуре спектра решеточного поглощения. [9]
 |
Край собственного поглощения.| Положение края собственного поглощения в полупроводниках A 1BV.| Край собственного поглощения фосфида галлия. [10] |
Различают следующие механизмы оптического поглощения: собственное поглощение, решеточное поглощение, примесное поглощение, поглощение свободными носителями заряда. [11]
Полосы в УФ -, видимой и ближней ИК-областях связаны, как правило, с электронным, а в средней и дальней ИК-областях - с молекулярным и решеточным поглощением. Между полосами поглощения имеются области прозрачности, где значение У. [12]
Другой механизм поглощения, упомянутый ранее в разд 222, связан с возбуждением колебаний решетки и вызывает появление в далекой инфракрасной области спектра хорошо известных полос остаточных лучей Эти полосы поглощения очень интенсивны в ионных кристаллах, их легче всего изучать, измеряя спектры отражения Ковалентные полупроводники Ge и Si не обладают столь сильным поглощением При меньших длинах волн могут наблюдаться более слабые полосы поглощения, связанные с возбуждением двух или более фононов, интенсивность этих полос уменьшается по мере увеличения числа фононов, участвующих в элементарном акте Общие характеристики спектра решеточного поглощения показаны на фиг. [13]
 |
Схематический вид спектра поглощения ферритов-гранатов. [14] |
В различных участках спектра могут быть расположены линии поглощения переходных ионов. II - решеточное поглощение, III - окно прозрачности, IV - Fe и переходы с переносом заряда. [15]
Страницы: 1 2 3 4