Значительная систематическая погрешность
Cтраница 1
Значительные систематические погрешности возникают при расчете средних из ряда первичных замеров признака в результате неучета разно-точности ( весовых значений) отдельных замеров признака в исследуемой совокупности. Для их устранения необходимо тщательно соблюдать правила расчета средних ( в частности, рекомендадии, изложенные в гл. [1]
Объективное условие возможности исключения значительной систематической погрешности в методе газовой хроматографии следующее: компоненты смеси перед количественным определением в детекторе должны быть полностью разделены в хроматографической колонке, тогда взаимное влияние компонентов смеси, являющееся, как известно, одним из основных источников систематической погрешности в физико-химических методах анализа, в принципе, может быть исключено. При выполнении этого условия источником систематических погрешностей является в основном изменение чувствительности детектора. Контроль чувствительности можно проводить по чистым компонентам, поскольку как при контроле, так и при анализе детектор работает на бинарной смеси газа-носителя и чистого компонента. Сравнительная простота контроля позволяет сделать его регулярным, и тем самым практически исключить значительную по величине систематическую погрешность. [2]
При использовании метода внутренней нормализации возможна значительная систематическая погрешность за счет компонентов смеси, не фиксируемых детектором. Наличие таких компонентов в смеси проверяется методом контролируемой внутренней нормализации [ 24 в гл. В анализируемую смесь добавляют известное количество контрольного вещества. Контрольное вещество должно отвечать следующим требованиям: его коэффициент относительной чувствительности должен быть известен и хроматографический пик этого вещества не должен совпадать ни с одним из пиков анализируемых веществ. [3]
Земли вокруг полуденной линии в этом случае возникает значительная систематическая погрешность показаний прибора. [4]
 |
Схема избирательного измерителя уровня. [5] |
Очевидно, что такой низкоомный вход существенно шунтирует уже имеющиеся сопротивления нагрузки и возникнет значительная систематическая погрешность измерений. [6]
Однако и очень большая длительность жизни - более 100 - 200 с - также может включать значительную систематическую погрешность, поскольку обычно эти наблюдения относятся к объектам, наблюдаемым с большого расстояния, что увеличивает вероятность ошибок. [7]
Применение разработанного источника с преобразователями типа ток в ток позволяет измерять очень малые активные сопротивления, при этом исключается значительная систематическая погрешность) присущая известным приборам такого же назначения. [8]
Невозможность реализации строго поверхностной генерации носителей заряда и влияние поверхностной рекомбинации на распределение носителей заряда в образце приводят к возникновению значительной систематической погрешности измерения. [9]
 |
К учету влияния на контур линии неравномерного распределения поглощающих атомов fa ( x.| К приближенному методу определения градиента плотности плазмы. [10] |
При таком методе, оценивая геометрическую длину луча, вдоль которого регистрируется излучение той или иной зоны, нередко совсем неоправданно вводят значительную систематическую погрешность. [11]
 |
Гистограмма значений ОНИ, полученных при малых числах капиллярности по результатам физического моделирования. [12] |
Если исходить из того, что указанные авторы определяли действительно один и тот же параметр К но, то тогда следует принять, что в измерение этой величины каждым из них внесена значительная систематическая погрешность. [13]
В силикатных минералах сложного состава с испарением порошков из канала электрода угольной дуги при определении элементов Та, Nb, Zr, Hf, Th и других, завершающих ряды летучести оксидов, часто возникают значительные систематические погрешности. Это в основном происходит из-за постепенного образования труднолетучих оксидов указанных элементов в процессе фракционированного испарения из расплавов минералов более летучих оксидов других элементов - Si, Al, Fe, Ca, Mg и др. Труднолетучие оксиды в дальнейшем образуют с углеродом стойкие и весьма малолетучие внедряющиеся в стенки электродов карбиды. [15]
Страницы: 1 2