Cтраница 1
Контактная погрешность - параметр, определяющий невоспроизводимость резисторов из-за контактных сопротивлений, неучтенных в основной расчетной формуле по определению номинала идеализированного резистора. Как было принято выше, контактная погрешность определяется переходными сопротивлениями на границе раздела резистивной и проводящей пленок и подпылением материала контактной площадки на пленку резистора, что приводит к частичному закорачиванию последнего. [1]
Контактная погрешность, кроме переходного сопротивления на границе раздела резистивной и проводящей пленок, определяется также и величиной погрешности, вызванной подпылением, неточным изготовлением трафаретов и пр. Поэтому все сказанное относительно различия линейной погрешности при нанесении свидетеля и резисторов микросхемы справедливо и для контактной погрешности. [2]
Параметры закона распределения контактной погрешности не зависят от линейных размеров резисторов, поскольку величина переходного сопротивления резистивно-проводящей структуры связана с единичной длиной зоны контакта резистивной и проводящей пленок, но в значительной мере определяется поверхностным удельным сопротивлением резистивной пленки. [3]
Аналогичные рассуждения, проведенные относительно контактной погрешности свидетеля, позволяют сделать вывод о том, что соблюдаются условия, определяющие высокий уровень корреляции контактной погрешности для всех одновременно изготавливаемых резисторов, и не выполняются условия, необходимые для корреляции контактного сопротивления свидетеля и резисторов микросхемы. [4]
Из сказанного, однако, не следует делать вывод о том, что при использовании фотолитографической технологии абсолютная величина контактной погрешности больше, чем при масочной технологии. В каждом конкретном случае величина контактной погрешности определяется свойствами используемых материалов и режимами их обработки, а также зависит от разрешающей способности используемых методов формирования рисунка. [5]
Аналогичные рассуждения, проведенные относительно контактной погрешности свидетеля, позволяют сделать вывод о том, что соблюдаются условия, определяющие высокий уровень корреляции контактной погрешности для всех одновременно изготавливаемых резисторов, и не выполняются условия, необходимые для корреляции контактного сопротивления свидетеля и резисторов микросхемы. [6]
Величина контактного сопротивления определяется двумя основными факторами: переходным сопротивлением на границе раздела проводящей и резистивной пленок и погрешностью длины резистора, которая по формальному признаку должна была быть отнесена к линейной погрешности. Введение ее в состав контактной погрешности методически более оправдано, поскольку при проектировании топологии микросхемы безразлично, чем вызвана данная погрешность, а имеют значения лишь способы ее минимизации. [7]
Контактная погрешность - параметр, определяющий невоспроизводимость резисторов из-за контактных сопротивлений, неучтенных в основной расчетной формуле по определению номинала идеализированного резистора. Как было принято выше, контактная погрешность определяется переходными сопротивлениями на границе раздела резистивной и проводящей пленок и подпылением материала контактной площадки на пленку резистора, что приводит к частичному закорачиванию последнего. [8]
Из сказанного, однако, не следует делать вывод о том, что при использовании фотолитографической технологии абсолютная величина контактной погрешности больше, чем при масочной технологии. В каждом конкретном случае величина контактной погрешности определяется свойствами используемых материалов и режимами их обработки, а также зависит от разрешающей способности используемых методов формирования рисунка. [9]
Контактная погрешность, кроме переходного сопротивления на границе раздела резистивной и проводящей пленок, определяется также и величиной погрешности, вызванной подпылением, неточным изготовлением трафаретов и пр. Поэтому все сказанное относительно различия линейной погрешности при нанесении свидетеля и резисторов микросхемы справедливо и для контактной погрешности. [10]