Подача - запирающее напряжение - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
"Человечество существует тысячи лет, и ничего нового между мужчиной и женщиной произойти уже не может." (Оскар Уайлд) Законы Мерфи (еще...)

Подача - запирающее напряжение

Cтраница 1


Подача запирающего напряжения уменьшает время выключения ( с учетом восстановления запирающих свойств диода) до 5 - 25 икс вместо 100 мкс и более. Полярность напряжения заряженного конденсатора указана на рисунке. При замыкании Кг полярность на; переключающем вентиле меняется и он выключается.  [1]

2 Вольт-амперные характеристики стабилитрона.| Схемы с применением стабилитронов. [2]

При подаче запирающего напряжения этот заряд рассасывается и вызывает протекание импульса тока, который может во много раз превышать установившуюся величину обратного тока.  [3]

При подаче запирающего напряжения уменьшается наклон выходных характеристик ПТ в омической области и, следовательно, увеличивается выходное сопротивление.  [4]

Закрытие ключа осуществляется подачей запирающего напряжения из схемы управления на переходы база - коллектор обоих триодов ключа.  [5]

В этом случае при подаче запирающего напряжения на базу транзистор ЯЯ3 запирается и его ток эмиттера становится равным нулю.  [6]

В течение некоторого времени после подачи запирающего напряжения через диод протекает значительный по величине обратный ток, максимальное значение которого называется максимальным током восстановления / в шах - Этот ток может на порядок превышать установившееся значение обратного тока. Возникновение броска обратного тока обусловлено рассасыванием накопленных в базе диода неосновных носителей заряда, которые втягиваются полем обратно смещенного / 7-дг-перехода в область эмиттера. По мере рассасывания концентрация носителей в базе уменьшается, и обратный ток снижается до установившегося значения.  [7]

Время выключения tBUK1I - время с момента подачи запирающего напряжения для перевода прибора из открытого состояния в закрытое.  [8]

При большой проводимости, несмотря на сравнительно невысокий потенциал, напряженность поля в переходе при подаче запирающего напряжения становится достаточно большой, чтобы вызвать пробой. Следовательно, при увеличении проводимости базы серьезным ограничением становится пробойное напряжение. В качестве компромиссного решения часто увеличивают сопротивление коллектора для того, чтобы растянуть обедненный слой в эту область. Предельным случаем этого метода являются р - п - i - р-транзисторы. В этих приборах между базой и коллектором заключен слой материала с собственной проводимостью, что позволяет уменьшить напряженность поля и емкость коллектор - база. В большинстве применений добавочное сопротивление в коллекторном элементе не играет существенной роли.  [9]

Принцип работы этих схем заключается в следующем. При подаче запирающего напряжения на базу ( например, положительного для транзисторов р-п-р-типа) оба перехода транзистора заперты: относительно коллекторного и эмиттерного электродов к базе транзистора приложено положительное напряжение. При этом резко уменьшаются остаточные токи, протекающие через оба перехода транзистора. При подаче на базу транзистора открывающего ( например, отрицательного) напряжения средняя величина тока, выпрямленного эмиттерным и коллекторным переходами в течение прямого полупериода, изменяется в соответствии с изменением базового тока. Так как управляющее и преобразуемое напряжения связаны между собой постоянным коэффициентом k, то и ток базы линейно связан с током коллектора. При этом во всем диапазоне преобразования сохраняется постоянная степень насыщения коллекторного тока и, следовательно, работа транзисторного преобразователя практически не зависит от усилительных параметров транзистора.  [10]

Для перевода ключа в выключенное состояние ко входу транзистора следует приложить запирающее напряжение, превышающее сумму напряжения отсечки и входного напряжения сигнала UBX. При подаче запирающего напряжения уменьшается наклон выходных характеристик ПТ в омической области и, следовательно, увеличивается выходное сопротивление.  [11]

Как видно из осциллограмм, р1 л - а. Так как для полного закрытия вентиля необходимо, чтобы после подачи запирающего напряжения на сетке завершились бы процессы деионизации и коммутации, то для нормальной работы необходимо р рмин. При р с РМИН дуга не перейдет на следующий анод и инвертор опрокидывается.  [12]

13 Эквивалентная схема коммутатора. [13]

Выпрямитель В1 работает непрерывно и создает запирающее напряжение на симметричном ключе. Экспериментальные исследования симметричного ключа в разомкнутом состоянии показали, что при подаче запирающего напряжения Ut 0 5 в сопротивление ключа Rp увеличивается в 3 - т - 5 раз. С / х по модулю и направленное ему навстречу. Ключ Т управляет подачей напряжения С / 3, подключая или отключая обмотку wt от выходной обмотки генератора Г, в результате чего симметричный ключ переходит в открытое или закрытое состояния.  [14]

Отключение производится понижением напряжения на вентиле до ив иеыкл. Понижение напряжения может быть произведено или за счет понижения напряжения питания до Е ЕОГП ( рис. 11.3), или шунтированием переключающегЪ - ся вентиля ключом Кг ( рис. 11.2 а), при этом в ветвь аб часто включается источник импульса запирающего напряжения. Подача запирающего напряжения уменьшает время выключения ( с учетом восстановления запирающих свойств диода) до 5 - 25 икс вместо 100 икс и более. Полярность напряжения заряженного конденсатора указана на рисунке.  [15]



Страницы:      1    2