Cтраница 1
Подбор диодов производится в однофазной однополупериодной схеме, в которой осуществлено разделение цепей измерения прямой и обратной ветвей вольтамперной характеристики диодов. [1]
Подбор диодов для параллельного соединения производится по прямой ветви вольтамперной характеристики. [2]
Подбор диодов для последовательного соединения производится по обратной ветви вольтамперной характеристики. [3]
Предусматривается ли подбор диодов для балансных смесителей. [4]
В такой схеме требуется подбор диодов в верхние и нижние плечи пары и достаточно сложная система тактирующих импульсов. Более стабильно работает схема двухтактного сдвигающего регистра на транзисторах и туннельных диодах [4.6], но эта схема имеет большое число элементов на один разряд регистра, что затрудняет ее применение при значительном числе разрядов устройства задержки. [5]
![]() |
Принцип построения ЭК на симметричном транзисторе. [6] |
К недостаткам данного ЭК следует отнести относительную сложность схемы, необходимость подбора диодов по прямому и обратному сопротивлениям ( допускается разброс не более 10 %), наличие трех источников питания, значительная мощность, требуемая для управления электронным контактом. [7]
Недостатками этой схемы являются снижение полезного сигнала в два раза и необходимость подбора идентичных диодов. [8]
![]() |
Схемы включения добавочного и шунтирующего сопротивлений. [9] |
Для параллельного соединения следует подбирать диоды с одинаковыми вольтамперными характеристиками по прямому току, ибо иначе возможно неравенство токов через диоды, грозящее перегрузкой одного из них. Подбор диодов с одинаковыми вольтамперными характеристиками - дело практически нелегкое. [10]
Переменное сопротивление Л2 служит для подстройки нуля выходного напряжения. Может потребоваться подбор диода J92 или замена его образцом с иным пробойным напряжением, если подбор триодов по усилению дает результаты, существенно отличные от описанных. Это изменение совершенно линейно и весьма точно соблюдается в температурном диапазоне 10 - 65 С. При температурах выше 65 С дрейф не подчиняется линейному закону. Отчасти это обусловлено зависимостью тока насыщения от температуры. Так как транзисторы не подбираются по равенству токов насыщения при повышенной температуре, достижение баланса отнюдь не обязательно. В зависимости от того, какой транзистор имеет больший ток насыщения, приращение дрейфа увеличивается или уменьшается. [11]
![]() |
Схема термоэлектрического / 2 - - - - - - ( RJ, - kvu ( r - сопро. [12] |
Потребляемая выпрямительными ваттметрами мощность незначительна. Это объясняется в основном трудностью подбора диодов с одинаковыми квадратичными вольт-амперными характеристиками. [13]
Потребляемая выпрямительными ваттметрами мощность незначительна. Это объясняется в основном трудностью подбора диодов с одинаковыми квадратич ными вольт-амперными характеристиками. [14]
В результате этого на вертикальной диагонали появляется переменное напряжение с амплитудой, пропорциональной постоянному напряжению, подведенному к мосту. Входное сопротивление такой мостовой схемы для источника постоянного тока оказывается очень большим ( около 100 - 500 МОм), что достигается подбором диодов с малыми обратными токами. [15]