Cтраница 1
Подвижность свободных зарядов ц, зависит от свойств материала и является одной из его основных констант. Удельное электрическое сопротивление Q также является свойством материала. [1]
Чем меньше подвижность свободных зарядов, тем большую роль играет, наряду с рассеянием на флюктуациях электрического поля, уменьшение вероятности переходов между соседними узлами. [2]
Во всяком случае рост подвижности свободных зарядов с температурой трудно связать с рассеянием электронных волн, вызванным искажением периодической решетки кристалла. Следовало бы ожидать, что тепловое движение увеличит, а не уменьшит число центров рассеяния. [3]
Здесь коэффициент пропорциональности b носит название подвижности соответствующих свободных зарядов. Подвижность численно равна средней скорости упорядоченного движения свободных зарядов в поле единичной напряженности. [4]
Удельное электрическое сопротивление, или обратная ему величина - удельная электропроводность, определяется наличием свободных зарядов ( электронов Или ионов) и их подвижностью. С повышением температуры вследствие увеличения подвижности свободных зарядов электропроводность диэлектрика возрастает. [5]
Результаты, полученные Морином для N10 и Fe20g, представляют для нас особый инт лес: здесь вычисленное значение ft оказывается порядка 0.004 см3 - в 1-сек. В этих несовершенных кристаллах величина подвижности свободных зарядов не просто мала: она также указывает на необычную зависимость от температуры. Как правило, тепловое движение увеличивает рассеяние заряженных носителей и уменьшает их подвижность с ростом температуры. В этих полупроводниках, однако, подвижность растет с температурой. Тепловое движение увеличивает вероятность переходов зарядов от одного иона кристалла к другому. Вероятность перехода, для осуществления которого необходимо преодолеть определенный энергетический барьер, пропорциональна ехр ( - EfkT); необходимая для перехода энергия черпается из энергии теплового движения. [6]
Результаты, полученные Морином для N10 и Fe203, представляют для нас особый интерес: здесь вычисленное значение р оказывается порядка 0.004 см2 - в 1-сек. В этих несовершенных кристаллах величина подвижности свободных зарядов не просто мала: она также указывает на необычную зависимость от температуры. Как правило, тепловое движение увеличивает рассеяние заряженных носителей и уменьшает их подвижность с ростом температуры. В этих полупроводниках, однако, подвижность растет с температурой. Тепловое движение увеличивает вероятность переходов зарядов от одного иона кристалла к другому. Вероятность перехода, для осуществления которого необходимо преодолеть определенный энергетический барьер Е, пропорциональна ехр ( - E / kT); необходимая для перехода энергия черпается из энергии теплового движения. [7]
Удельное электрическое сопротивление, или обратная ему величина - удельная электропроводность, определяется наличием свободных зарядов ( электронов или ионов) и их подвижностью. С повышением температуры вследствие увеличения подвижности свободных зарядов электропроводность диэлектрика возрастает. [8]
Удельное электрическое сопротивление, или обратная ему величина - удельная электропроводность, определяется наличием свободных зарядов ( электронов Иди ионов) и их подвижностью. В диэлектрике обычно свободных зарядов очень мало, поэтому он обладает малым значением удельной электропроводности ( порядка Ю-1 Э-10-13 о. С повышением температуры вследствие увеличения подвижности свободных зарядов электропроводность диэлектрика возрастает. [9]