Cтраница 1
Подвижность неосновных носителей заряда, измеренная при наличии электрического поля, носит название дрейфовой подвижности, которая в свою очередь идентична той, которая определяется по удельной проводимости при р п или п р, а также при условии, что захвата носителей лову-щечными уровнями не происходит. В следующем параграфе будет рассмотрено уравнение переноса, в которое входят конечные значения времен жизни носителей. [1]
Зависимость подвижности неосновных носителей заряда от температуры закалки германия представлена на рис. 2.17, из которого следует, что подвижность электронов ц в германии р-типа и дырок Цр в германии n - типа сильно уменьшается, если температура закалки приближается к температуре превращения. [2]
Существует еще один метод измерения подвижности неосновных носителей заряда, основанный на измерении коэффициента диффузии по диффузионному размытию сэвокупности неравновесных носителей заряда с последующим вычислением подвижности по соотношению Эйнштейна. Метод предполагает изучение распределения неравновесных носителей заряда, возникшего в отсутствие электрического поля в результате диффузии через некоторое время после окончания процесса генерации. Сравнение экспериментально полученного распределения неравновесных носителей заряда с вычисленным по уравнению непрерывности позволяет найти коэффициент диффузии. [3]
Электрофизические свойства полупроводниковых материалов определяются шириной запрещенной зоны, энергией активации, подвижностью неосновных носителей заряда и рядом других параметров. [4]
Следовательно, сопротивление диода с тонкой базой под действием магнитного поля изменяется только в результате изменения подвижности неосновных носителей заряда в базе диода. Из сравнения выражений (14.15) и (14.7) видно, что изменение тока, проходящего через диод с тонкой базой, или изменение его сопротивления в магнитном поле значительно меньше, чем в магниторезисторе. Таким образом, диоды с тонкой базой нецелесообразно использовать в качестве магниточувствительных полупроводниковых приборов - магнитодиодов. [5]
Наличие структурных дефектов приводит в свою очередь к ухудшению свойств кристалла, например к уменьшению времени жизни и подвижности неосновных носителей заряда. Приборы, изготовленные из такого кристалла, будут иметь значительно меньший коэффициент передачи тока. Поэтому наиболее благоприятной является плоская поверхность раздела ( рис. 2.2 6), исключающая появление внутренних напряжений. Ввиду того что на поверхности раздела концентрация примеси постоянна, сохранение плоского фронта кристаллизации существенно также для равномерного распределения примесей в поперечном сечении кристалла. [6]
Таким образом, в области примесной проводимости величины D и ЛЕ совпадают с соответствующими характеристиками неосновных носителей заряда, a ID представляет собой подвижность неосновных носителей заряда по модулю. [7]
Таким образом, в области примесной проводимости величины D Ц [ ЛЕ совпадают с соответствующими характеристиками неосновных носителей заряда, a ID представляет собой подвижность неосновных носителей заряда по модулю. [8]
Для примесных полупроводников, когда концентрация основных носителей заряда значительно превышает концентрацию неосновных носителей ( 0Ро или р0 о), коэффициент биполярной диффузии D и биполярная дрейфовая подвижность НЕ равны, соответственно, коэффициенту диффузии и подвижности неосновных носителей заряда. [9]
Подвижность носителей заряда влияет на частотные свойства выпрямительных диодов, так как эти свойства большинства выпрямительных диодов определяются временем рассасывания неосновных носителей в базовой области диодной структуры. Это объясняется тем, что подвижность неосновных носителей заряда определяет время пролета неосновных носителей через базу, а подвижность основных носителей - объемное сопротивление базы и, следовательно, постоянную времени перезаряда барьерной емкости коллекторного перехода. Наибольшей подвижностью носителей заряда обладает антимо-нид индия. [10]
Коэффициенты D и ц характеризуют движение совокупности неравновесных носителей заряда в условиях электронейтральности. В частном случае примесного полупроводника коэффициент амбиполярной диффузии равен коэффициенту Д1ффузии неосновных носителей заряда, а амбиполярная дрейфовая подвижность совпадает с подвижностью неосновных носителей заряда. Поэтому уравнение непрерывности в виде (3.7) всегда написывают для неосновных носителей заряда. [11]
Изменение тока через образец во времени регистрируется осциллографом, на вход которого подается напряжение с резистора нагрузки, включенного последовательно в цепь образца. По меткам времени определяют время дрейфа неравновесных носителей заряда и строят кривую зависимости этого времени от расстояния между освещенной областью и коллектором. По углу наклона этой кривой для любой точки х находят значение дрейфовой скорости. Зная распределение потенциала в образце, определяют напряженность электрического поля и вычисляют подвижность неосновных носителей заряда. Как и в предыдущем методе, для снижения систематической погрешности, связанной с уменьшением электрического поля в области генерации, необходимо проводить измерения при малых избыточных концентрациях носителей заряда. Кроме того, во время дрейфа в результате диффузии и рекомбинации изменяется вид распределения неравновесных носителей заряда. Чтобы уменьшить влияние этих факторов, необходимо проводить измерения в последовательно увеличивающихся электрических полях. Напряженность электрического поля, при котором диффузионное размытие распределения избыточных носителей заряда не вносит существенной погрешности в результаты измерений, можно оценить исходя из следующих соображений. [12]
Определенные этим методом значения дрейфовой подвижности будут тем ближе к истинным значениям, чем при меньшем уровне инжекции они получены. Это объясняется тем, что ин-жекция носителей заряда в некоторую область образца приводит к изменению проводимости образца в этой области и, следовательно, к нарушению однородности электрического поля образца, которое трудно учесть. Поэтому для более точного определения подвижности носителей заряда проводится серия измерений при разных уровнях инжекции. Эти данные затем можно экстраполировать к нулевому уровню инжекции и получить точное значение подвижности неосновных носителей заряда. [13]