Cтраница 1
Подвижность свободных электронов обусловливает также высокую теплопроводность металлов. Находящиеся в непрерывном движении электроны постоянно обмениваются с ионами энергией. Очевидно, колебания ионов, усиливающиеся благодаря нагреванию, тут же передаются соседним ионам и тепловое состояние металла очень быстро выравнивается; иначе говоря, вся масса металла принимает одинаковую температуру. [1]
С повышением температуры провода подвижность свободных электронов b уменьшается, так как столкновения частиц следуют чаще и при одной и той же напряженности поля средняя скорость их движения уменьшается. Уменьшение подвижности электрона приводит, как следует из формулы ( 2 - 15), к увеличению удельного сопротивления. [2]
С повышением температуры провода подвижность свободных электронов Ъ уменьшается, так как столкновения частиц следуют чаще и при одной и той же напряженности поля средняя скорость их движения уменьшается. Уменьшение подвижности электрона приводит, как следует из формулы ( 2 - 15), к увеличению удельного сопротивления. [3]
Зависимость проводимости водного раствора серной кислоты от концентрации. [4] |
С повышением температуры провода подвижность свободных электронов b уменьшается, так как столкновения частиц следуют чаще и при одной и той же напряженности поля средняя скорость их движения уменьшается. Уменьшение подвижности электрона приводит, как следует из формулы ( 2 - 15), к увеличению удельного сопротивления. [5]
Теплопроводность металлов также связана с подвижностью свободных электронов и колебательным движением самих атомов. Эти колебания распространяются в виде системы упругих ( тепловых) волн по всей кристаллической решетке. Свободные электроны сталкиваются с колеблющимися атомами и обмениваются с ними энергией. Поэтому при нагревании металла тепловая энергия незамедлительно передается от одних атомов к другим благодаря свободным электронам. При этом сравнительно быстро происходит выравнивание температуры по всей массе металла. [6]
Теплопроводность металлов также связана с подвижностью свободных электронов и колебательным движением самих атомов. Эти колебания распространяются в виде системы упругих ( тепловых) волн по всей кристаллической решетке. Свободные электроны сталкиваются с колеблющимися атомами и обмениваются с ними энергией. Поэтому при нагревании металла тепловая энергия незамедлительно передается от одних атомов к другим, благодаря свободным электронам. При этом сравнительно быстро происходит выравнивание температуры по всей массе металла. [7]
В группу радиационных детекторов входят: а) детектор по поперечному сечению ионизации; б) аргоновый ионизационный детектор; в) детектор захвата электронов; г) детекторы, основанные на измерении подвижности свободных электронов; д) гелиевый ионизационный детектор. [8]
При конструировании газовых детекторов используются следующие эффекты: ионизация газа электронами ( метод поперечного сечения ионизации), ионизация газа возбужденными ( метастабильными) атомами, захват медленных электронов молекулами газов, изменение подвижности свободных электронов. [9]
В группу радиационных детекторов входят: а) детектор по поперечному сечению ионизации; б) аргоновый ионизационный детектор; в) детектор захвата электронов; г) детекторы, основанные на измерении подвижности свободных электронов; д) гелиевый ионизационный детектор. [10]
В газах, где электроны очень долго остаются свободными, как в очень чистых Н2, N2 и инертных газах, подвижности отрицательных частиц очень велики, так как здесь измеряются, по существу, подвижности свободных электронов. [11]
Энергетическая диаграмма полупроводника при комнатной температуре ( t Т. [12] |
Как следует из изложенного, количество свободных электронов и количество дырок в заполненной зоне чистого ( беспримесного) полупроводника одинаково. Следует иметь в виду, что подвижность свободных электронов значительно выше подвижности дырок. Поэтому, несмотря на равную концентрацию носителей обоих видов, собственная электропроводность чистого полупроводника носит преимущественно электронный характер. [13]
У диэлектриков большинство электронов жестко привязано к атомам и очень мало свободных носителей заряда. Поэтому, хотя подвижность этих носителей заряда не сильно отличается от подвижности свободных электронов в металлах, удельная проводимость диэлектриков очень мала. Концентрация носителей в полупроводниках изменяется в широких пределах от 1019 до 1025 м - 3, а подвижности заключены примерно от 10 до 10 - 4 м2 / ( В-с), т е велики. Благодаря таким широким пределам изменения концентрации носителей и их подвиж-ностей удельная проводимость полупроводников изменяется в широких пределах, на много порядков величин. [14]
Когда частица ( атом или молекула) нейтрального газа приобретает один или несколько электронов, она становится отрицательным ионом. При этом число свободных электронов в газе уменьшается, и поскольку подвижность образовавшихся отрицательных ионов много меньше подвижности свободных электронов, электропроводность газа понижается. Отрицательные ионы могут образоваться таким способом не во всех газах. В водороде, азоте и инертных газах отрицательные ионы таким путем не образуются. С другой стороны, кислород, хлор и пары воды имеют высокое электронное сродство, и в них легко образуются отрицательные ионы. Незначительные следы этих последних трех газов сильно влияют на электропроводность. При низких давлениях вероятность образования отрицательных ионов очень мала. [15]