Подвижность - доменная граница
Cтраница 1
Подвижность доменных границ ведет к приросту энтропии, а следовательно, к понижению свободной энергии. В ряде антиферромагнетиков в определенном интервале температуры энтропийный член свободной энергии может превышать прирост энергии в переходном слое. Тогда образование доменных границ в антиферромагнетиках является термодинамически выгодным. [1]
Подвижность доменных границ G зависит от материала слоя и характеризует его динамические свойства. Значит, как следует из (15.7), использование материалов с высокими q и Нс приводит к снижению быстродействия устройств на ЦМД. [2]
Величина / л называется подвижностью доменной границы. [4]
Для оценки динамики поведения ЦМД используют понятие подвижности доменной границы ИГР совместно со скоростью ее устойчивого движения v, которые связаны со строением граничной стенки. [5]
В зависимости от подвижности дефектов их влияние на подвижность доменных границ может осуществляться двумя качественно различными способами - соответственно через силы сухого и вязкого трения. В первом случае движение доменной стенки представляет собой продвижение через систему неподвижных препятствий, состоящее из последовательных актов отрыва границ от неподвижных стоппоров и дальнейшего ее захвата новыми дефектами. [6]
Установлено также, что размеры кристаллитов оказывают влияние на подвижность доменных границ. По мере уменьшения размера кристаллитов движению доменных стенок все более препятствуют межкристаллитные границы. В мелкокристаллитной сегнетоэлектрической керамике существуют внутренние неоднородные механические напряжения, которые имеют максимумы на границе между соседними кристаллитами и снижаются при удалении от границ. Их влияние увеличивается при уменьшении размера кристаллитов. [7]
Указанное увеличение, по-видимому, может быть одной из причин наблюдаемого в эксперименте [78] увеличения подвижности доменных границ при замене дейтерия на водород в структуре KD2PO4 сразу на шесть порядков величины. [8]
Метод спин-волнового резонанса позволяет определить константу обменного взаимодействия А и через нее динамические свойства ТМП, IB частности подвижность доменной границы. Идея метода сводится к получению спектра спин-волнового резонанса при перпендикулярной ориентации пленки и выделению спин-волновых пиков. [9]
 |
Генератор ЦМД и Г - схема продвижения. [10] |
Из всего сказанного выше ясно, что одним из важнейших параметров материалов, используемых для конструирования схемных элементов с ЦМД, является подвижность доменных границ. [11]
Тогда изменение структуры материала и связанное с ним уменьшение и увеличение Н должно компенсироваться уменьшением К, что ведет к повышению /, хотя уменьшение Вг указывает, что и на этой стадии идет дальнейшее уменьшение подвижности доменных границ и разрушен дальнего спинового порядка. [12]
 |
Параметры некоторых редкоземельных ферритов-гранатов. [13] |
В табл. 8.1 приведены параметры некоторых редкоземельных ферритов-гранатов, из которой видно, что эти материалы имеют домены с диаметрами порядка нескольких микрометров, что позволяет получить плотность размещения информации 10б - 10е бит / см2 и даже выше. Однако подвижность доменных границ этой группы материалов ниже, чем у ортоферритов. [14]
 |
Параметры некоторых редкоземельных ферритов-гранатов. [15] |
Страницы: 1 2