Эффективная подвижность

Cтраница 3

Это видно из рис. 1.41, на котором представлена зависимость от давления отношения эффективной подвижности при определенном давлении к эффективной подвижности в отсутствие давления для n - Ge при Т 349 К. [31]

Электронные микрофотографии граничной фазы ( или небюргерсовой а-фазы, текст в сплаве Ti-6 А1 - 4 V с микроструктурой, показанной на 32, б. Аналогичные наблюдения были сделаны и в большинстве других микроструктур. а - общий вид - полосы между двумя основными ос-пластинками. б и в - темиоиольные изображения 3-фазы и граничной фазы соответственно. [32]

Этот факт на первый взгляд кажется удивительным, поскольку подразумевает, что если водород принимает участие в обоих процессах, то эффективная подвижность водорода, образующегося в солевом растворе, довольно низка. Мы вернемся к этому вопросу ниже, а здесь напомним, что титановые сплавы сравнительно слабо реагируют с соленой водой [186], поэтому количество водорода, образующегося в таких коррозионных реакциях, должно быть небольшим. [33]

Если приложить переменное поле перпендикулярно поверхности, так что полупроводник является одной из пластин конденсатора, то по изменению проводимости образца можно определить эффективную подвижность носителей тока, индуцируемых этим полем. [34]

Зависимость Д. от и, получен. [35]

Концентрация носителей р может также изменяться с изменением температуры, но важно подчеркнуть, что переходы из одной области в другую определяют температурную зависимость эффективной подвижности. [36]

О до 100 % - Когда это касается только слоистости пласта, рост добычи воды можно подсчитать аналогично движению сухого газа в процессе циркуляции, исправленному на разницу в эффективной подвижности между водой и нефтью. [37]

Прямые ветви ВАХ германиевого магнитодиода, находящегося в магнитных полях с различной магнитной индукцией.| Структура биполярного магнитотранзистора с двумя коллекторами и схема его включения. [38]

Обычно биполярные транзисторы малочувствительны к магнитному полю, так как поперечное магнитное поле приводит только к искривлению траекторий движения неосновных носителей заряда, идущих через базу от эмиттера к коллектору, что эквивалентно уменьшению эффективной подвижности неосновных носителей в базе транзистора. В связи с малой толщиной базы в обычных биполярных транзисторах практически все инжектированные эмиттером носители достигают коллектора, несмотря на искривление траекторий их движения магнитным полем. Другой физической причиной изменения парамет ров биполярных транзисторов в магнитном поле является изменение сопротивления базы транзистора. [39]

Прямые ветви ВАХ германиевого магнитодиода, находящегося в магнитных полях с различной магнитной индукцией. [40]

Обычно биполярные транзисторы малочувствительны к магнитному полю, так как поперечное магнитное поле приводит только к искривлению траекторий движения неосновных носителей заряда, идущих через базу от эмиттера к коллектору, что эквивалентно уменьшению эффективной подвижности неосновных носителей в базе транзистора. В связи с малой толщиной базы в обычных биполярных транзисторах практически все инжектированные эмиттером носители дости-гают коллект Ра несмотря на ис-кривление траекторий их движения магнитным полем. Другой физической причиной изменения парамет ров биполярных транзисторов в магнитном поле является изменение сопротивления базы транзистора. [41]

Структура биполярного магнитотранзистора с двумя коллекторными переходами и схема его включения. [42]

Обычно биполярные транзисторы мало чувствительны к магнитному полю, так как поперечное магнитное поле приводит только к искривлению траекторий движения неосновных носителей заряда, идущих через базу от эмиттера к коллектору, что эквивалентно уменьшению эффективной подвижности неосновных носителей в базе транзистора. В связи с малой толщиной базы в обычных биполярных транзисторах практически все инжектированные эмиттером носители достигают коллектора, несмотря на искривление траекторий их движения магнитным полем. Другой физической причиной изменения параметров биполярных транзисторов в магнитном поле является изменение сопротивления базы транзистора. [43]

Аппарат для фронтального электрофореза ( по Тизелиусу. [44]

Для растворов электролитов, диссоциирующих полностью, Ui является ионной подвижностью; для растворов же, в которых компонент i присутствует в нескольких ионных или незаряженных формах, находящихся в равновесии друг с другом, величина и - эффективная подвижность, отражающая суммарное перемещение данного компонента в электрическом поле. [45]

Страницы: 1 2 3 4