Высокая подвижность - носитель - заряд
Cтраница 1
Высокая подвижность носителей заряда в GaAs, позволяющая изготовлять из него высокочастотные устройства, более оптимальная, чем в Si, ширина запрещенной зоны и простота изготовления тройных соединений с малым несоответствием параметров решеток выдвигают GaAs на роль основного конкурента Si среди наиболее изученных полупроводниковых материалов. [1]
Многие важные свойства неорганических полупроводников определяются высокими подвижностями носителей заряда. Для того чтобы определить потенциальные возможности использования органических соединений с сопряженными связями именно в качестве полупроводников, необходимо выяснить, какие характеристики подвижности носителей могут быть достигнуты в них. Уже на основании рассмотрения экспериментальных данных по измерению подвижности был сделан предварительный вывод, что в органических полупроводниках возможно движение носителей как по зонному, так и по перескоковому механизму. Два механизма должны проявляться в различных зависимостях подвижности от таких факторов, как температура, анизотропия решетки и величина подвижности. Для органических полупроводников сопоставление двух механизмов подвижности было проведено Глару-мом [81] с учетом известной структуры зон в органических молекулярных кристаллах. [2]
Такие соединения являются узкозонными полупроводниками с высокой подвижностью носителей заряда, для к-рых характерно к тому же увеличение тер. [3]
Согласно Зайферхельду и др. [232], аномально высокая подвижность носителей заряда ц 105 см2В - 1с - 1, полученная для ПДА - ТС в работе [55], не совместима с сильным рассеянием, необходимым для объяснения успешного использования одномерной теории Онзагера для описания рекомбинации носителей заряда. Работа Мовагхара и др. [171] разрешает данное затруднение и показывает, что между результатами [55] и [232] нет качественного противоречия. [4]
Основным требованием к исходному материалу преобразователей ЭДС Холла является высокая подвижность носителей заряда, так как при этом ЭДС Холла соизмерима с входным напряжением. Однако входное напряжение тоже должно быть достаточно большим, чтобы полезный сигнал имел необходимое значение. Максимальное допустимое входное напряжение ограничивается максимальной допустимой мощностью. [5]
 |
Зависимость удельной теплоемкости с от температуры Т для оксидов второй. [6] |
Для изготовления преобразователей Холла применяют материалы с узкой запрещенной зоной, обладающие высокой подвижностью носителей заряда и минимальными температурными изменениями их характеристик. Этим требованиям удовлетворяют InAs, а также InSb, имеющий рекордно высокую подвижность электронов. [7]
Диэлектрическая проницаемость халькогенидов свинца при низких температурах ( около 4 К) весьма велика ( больше 100), что может быть связано с высокой подвижностью носителей заряда при низких температурах. [8]
В нелегированных пленках a - Si: H и-типа ( рис. 2.4.8, в) ( в областях сеток чистого a - Si) электроны двигаются более свободно и менее подвержены захвату ловушками, что проявляется в недисперсионном характере электронного переноса и в высокой подвижности носителей заряда. Дырки же, претерпевая со стороны ловушек частый захват, оказываются локализованными в сильно разупорядоченных областях Si: H аморфного полупроводника, что проявляется в диспер-сионности переноса дырок. Как было показано выше, этот случай реализуется в пленках обоих типов: TP-a - Si: H и PP-a - Si: H. [10]
Поэтому следует рассчитывать только на полупроводники с высокой степенью чистоты. Наиболее высокой подвижностью носителей зарядов обладают уже упомянутые арсенид индия, для которого ( 1 23000 см2 ] в - сек, и антимонид индия, для которого fin 65 000 см2 / в сек. [11]
Чаще всего используют пленки селенида и теллурида ртути, антимонида индия и взаимные твердые растворы этих соединений. Они обладают высокой подвижностью носителей заряда даже в тонких мелкокристаллических пленках. [12]
Для этой цепи используют пленки селенида и теллурида ртути, антимонида индия и твердые растворы этих соединений. Они обладают высокой подвижностью носителей заряда даже в тонких монокристаллических пленках. [13]
 |
Модель спиновой волны. [14] |
В твердом теле процессы рассеяния исключают возможность изучения детерминированной траектории частицы; описание потока частиц и управление им может быть сделано только на основе учета статистических закономерностей. В то же время в полупроводниках с высокой подвижностью носителей заряда возможно описание движения носителей заряда методами, близкими к описанию движения электронов в электронном пучке в вакууме. [15]
Страницы: 1 2