Холловская подвижность - электрон
Cтраница 1
Холловская подвижность электронов для образцов Cd3As2 с концентрацией п 1018 см-3 ниже температуры 20 К практически пострянна независимо от температуры. [1]
Холловская подвижность электронов в монокристаллах окиси цинка порядка 1000, а в прессованных образцах не превышает 100 смЧв - сек. [2]
Холловская подвижность электронов не была измерена, так как селен л-типа не получен, а собственной проводимостью селен в твердом состоянии не обладает. [3]
Холловская подвижность электронов не была измерена, так как селен л-т ипа не получен, а собственной проводимостью селен в твердом состоянии не обладает. [4]
Холловская подвижность электронов для образцов Cd3As2 с концентрацией п 1018 см-3 ниже температуры 20 К практически постоянна независимо от температуры. [5]
 |
Температурный ход электропроводности германия с примесями мышьяка. [6] |
При комнатной температуре холловские подвижности электронов и дырок в германии с содержанием примесей 10 - 8 % составляют Un 3 900 см / в-сек uUp 1900 см / в-сек. [7]
На рис. II.126 и 11.127 приведена зависимость холловской подвижности электронов в InSb от концентрации носителей тока при разных температурах [403, 407, 462-470, 479] и от степени легирования. Различные экспериментальные точки относятся к разным ориентациям электрического тока относительно осей кристалла. [8]
 |
Графики, иллюстрирующие долю холловской подвижности электронов, обуслов.| Расчетные кривые холловской подвижности при смешанном механизме рассеяния электронов. [9] |
Для удобства такого сравнения в таблице 3.4 приведены данные по холловским подвижностям электронов и дырок в важнейших полупроводниках. [10]
Величина подвижности электронов, вычисленная по приведенному выше уравнению, хорошо согласуется с величиной холловской подвижности электронов, рассчитанной по уравнению % Ra, где R - коэффициент Холла, а - электропроводность. Для Cd3As2 продольное магнетосопротивление ( Ар / р0) ц не только не равно нулю, но может превышать величину поперечного магнетосопротивления ( Ap / p0) j, что свидетельствует о сложной структуре изоэнергетических поверхностей этого соединения. [11]
Величина подвижности электронов, вычисленная по приведенному выше уравнению, хорошо согласуется с величиной холловской подвижности электронов, рассчитанной по уравнению [ % Ra, где R - коэффициент Холла, а - электропроводность. [12]
 |
Зависимости холловской подвижности электронов и дырок в кремнии от концентрации носителей заряда. [13] |
Если распределение концентрации носителей заряда по толщине слоя известно, то полную концентрацию определяют путем интегрирования профиля по всей толщине образца. Вследствие неполной ионизации примесей при их высокой концентрации количество носителей заряда в слое может быть меньше количества внедренных примесей. На рис. 2.11 приведены зависимости холловской подвижности электронов и дырок в кремнии от их концентрации; сплошными линиями представлены зависимости для некомпенсированного однородного материала, пунктиром - для ион-но-легированных слоев. [14]
Страницы: 1