Cтраница 2
В случае мелких ловушек, когда их концентрация значительно больше концентрации инжектированных носителей, 6 С 1, а определяемая из инжекционных токов дрейфовая ( эффективная) подвижность хдр яб всегда меньше так называемой истинной подвижности, соответствующей идеализированной модели безловушечного диэлектрика. В реальных диэлектриках, в том числе и полимерных, всегда имеются ловушки с тем или иным распределением их по энергиям. Все экспериментальные данные по подвижности ионов, которые будут приведены ниже, имеют смысл именно дрейфовой подвижности. [16]
В случае мелких ловушек, когда их концентрация значительно больше концентрации инжектированных носителей, О - С 1, а определяемая из инжекционных токов дрейфовая ( эффективная) подвижность Хдр к9 всегда меньше так называемой истинной подвижности, соответствующей идеализированной модели безловушечного диэлектрика. В реальных диэлектриках, в том числе и полимерных, всегда имеются ловушки с тем или иным распределением их по энергиям. Все экспериментальные данные по подвижности ионов, которые будут приведены ниже, имеют смысл именно дрейфовой подвижности. [17]
Этот метод используется главным образом для анализа смесей белков и в отличие от зонного электрофореза дает представление об истинной подвижности мигрирующих частиц. [18]
Так, средняя величина дрейфовой подвижности в МББА составляет Ю-5 см2 - с-1 - В 1 ( 20 - 25 С) [18], причем такая же цифра в [19] приводится как типичная. По-видимому, в экспериментах по измерению времени пробега ионов между электродами в электрическом поле серьезную роль играют гидродинамические процессы. Нижний предел соответствует истинной подвижности ионов. [19]
Из этого уравнения следует, что процесс можно регулировать в широких пределах, меняя тип или концентрацию электролита. Различие в электрофоретических подвижностях в соответствующих узких зонах вызывает градиент потенциала, увеличивающий уменьшающуюся подвижность, в то время как концентрация катионов уменьшается от зоны к зоне. Все границы катионных зон, отличающихся истинной подвижностью и, мигрируют с одинаковой скоростью. Если в каждой точке пространства, заполненного электролитом, сохраняются условия электронейтральности, то чем медленнее происходит изотахофоретическое перемещение иона, тем быстрее должен перемещаться противоион, в нашем случае анион р, так как в единицу времени равное число противоположных зарядов должно проходить через определенное сечение. Обычно более пригодны слабые кислоты, содержащие лишь несколько ионизующихся групп, рКа которых близок к выбранному рН ведущего электролита и буферная емкость, следовательно, максимальна. При подходящем подборе противоиона р различия в рН между зонами уменьшаются до минимума, даже если некоторый градиент рН не удается полностью исключить. [20]
Подвижность, рассчитанная по величине постоянной Холла [ см. (13.19) ] и потому называющаяся иногда холловской, может не совпадать с истинной подвижностью. Последняя определяется как непосредственно измеренная скорость движения заряженной частицы в единичном электрическом поле. Поскольку для расчета частотных и импульсных характеристик, а также для установления предельных рабочих температур полупроводниковых приборов необходимо точное знание истинной подвижности, то чаще всего предпочитают прямые измерения ее. [21]
Известный способ исключения контактных сопротивлений в поликристалле, влияния микротрещин состоит в измерениях а на высокой частоте. При этом высокие сопротивления двухмерных дефектов шунтируются малыми при высокой частоте реактивными сопротивлениями их емкостей. Метод этот обычно применяется для высокоомных материалов. Использование его неэффективно для термоэлектрических объемных кристаллов и пленок, удельные электропроводности которых даже в поликристаллическом состоянии имеют значения порядка сотен - тысяч ом в минус первой степени х сантиметр в минус первой степени. Здесь мы рассмотрим другие возможности определения истинной подвижности, основанные на измерении гальвано - и термомагнитных эффектов в стационарных условиях. [22]
Известный способ исключения контактных сопротивлений в поликристалле, влияния микротрещин состоит в измерениях а на высокой частоте. При этом высокие сопротивления двухмерных дефектов шунтируются малыми при высокой частоте реактивными сопротивлениями их емкостей. Метод этот обычно применяется для высокоомных материалов. Использование его неэффективно для термоэлектрических объемных кристаллов и пленок, удельные электропроводности которых даже в поликристаллическом состоянии имеют значения порядка сотен - тысяч ом в минус первой степени х сантиметр в минус первой степени. Здесь мы рассмотрим другие возможности определения истинной подвижности, основанные на измерении гальвано - и термомагнитных эффектов в стационарных условиях. [23]