Подвод - вещество
Cтраница 1
Подвод вещества к растущему надкритическому зародышу осуществляется диффузией из окружающего раствора. [1]
 |
Кривая пересыщения на диаграмме х - t. [2] |
Процесс подвода вещества к поверхности кристалла протекает с большой скоростью, и кинетика процесса определяется скоростью встраивания молекул в кристалл. [3]
 |
Зависимость концентрации сульфата меди от расстояния в м жэлектродном про. [4] |
Существует несколько возможностей подвода веществ к поверхности электрода и отвода продуктов реакции от нее. В неподвижном электролите, содержащем избыточное количество солей, которые не участвуют в электродной реакции, весь ток1 практически переносится ионами индифферентного электролита, а единственным способом переноса ионов-участников реакции является диффузия. В электролитах, не содержащих посторонних солей, весь ток обусловлен движением ионов, вступающих в реакцию и образующихся в результате нее. Поэтому перенос веществ происходит путем как диффузии, так и миграции. [5]
 |
Способы подвода охлаждающей жидкости в зону резания при точении. [6] |
Существует несколько способов подвода смазывающе-охлаждаю-щих веществ в зону резания. Иногда осуществляется подача жидкости на задние поверхности инструмента. В последние годы все большее распространение находит способ подачи жидкости в виде тумана. В этом случае подача жидкости осуществляется со стороны задних поверхностей инструмента. Для получения распыленной жидкости - тумана, используют специальные установки или применяют сопло типа пульверизатора. [7]
В этом случае скорость подвода вещества к межфазной поверхности равна скорости отвода. [8]
В уравнении конвективной диффузии учитывается подвод вещества как благодаря молекулярной диффузии, так и вследствие потока. Для сравнения доли участия этих двух источников целесообразно привести уравнение ( XVIII. [9]
Целью перемешивания во многих процессах является повышение скорости подвода веществ в зону реакции, увеличение поверхности контакта реагирующих сред и интенсификация процессов. В таких процессах высокая интенсивность перемешивания ( при регламентированном времени пребывания в аппаратуре реакционных сред) имеет решающее значение в обеспечении взрывобезопасности. [10]
Появление тангенциальных движений поверхности жидкого электрода вызывает возрастание подвода восстанавливающегося вещества к электроду. Вследствие этого наблюдается увеличение тока в некоторой области потенциалов выше его предельного значения, ограниченного скорбстью диффузии к радиально растущей капле в отсутствие тангенциальных движений ее поверхности. [11]
Пусть теперь L mD, XF - лимитирующей становится стадия подвода вещества с фазой х в рабочую зону массообменного устройства; тогда в рассмотрении остальных стадий необходимости нет. Для повышения интенсивности массопереноса в целом здесь нужно увеличивать фазовый поток L; поток фазы у, как и кинетическая характеристика kxF, в этих условиях роли не играет. [12]
Механизм ориентированной кристаллизации на изотропных подложках существенно зависит от способа подвода вещества, Бауэр [122] считает, что во всех экспериментальных работах условия подвода вещества к подложке находятся между двумя граничными случаями: 1) направленный подвод молекул; 2) всесторонний, беспорядочный подвод молекул. Первый способ легко осуществить лишь при использовании узких пучков вещества при испарении в высоком вакууме, тогда как второй является наиболее распространенным и осуществляется при других методах осаждения. [13]
Контактный процесс на поверхности конденсированной фазы протекает в несколько стадий: подвод вещества к внешней поверхности контакта, подвод вещества к внутренней поверхности контакта, сорбция исходных веществ на активной поверхности, собственно химическая реакция, десорбция продуктов реакции, внутренний и внешний транспорт продуктов реакции. [14]
Страницы: 1 2 3 4