Подпитка - расплав
Cтраница 1
Подпитка расплава заключается либо в закономерном введении в него основного компонента кристаллизуемого расплава в чистом или легированном виде, либо во введении или удалении из него легирующей примеси. [1]
Подпитка расплава легирующей примесью может носить как положительный, так и отрицательный характер. В первом случае для повышения концентрации примеси в кристаллизуемом расплаве ее вводят в расплав либо в виде паров элемента или его соединения, либо в виде твердого или жидкого раствора примеси в основном компоненте. Во втором случае для понижения концентрации примеси в рабочем расплаве ее удаляют из него испарением. С этой же целью кристаллизуемый расплав разбавляют чистым основным компонентом, подаваемым в расплав в твердом или жидком виде. [2]
При отсутствии подпитки кристализуемого расплава g представляет собой отношение объема или массы выращенного кристалла к первоначальным объему или массе кристаллизуемого расплава. Однако в условиях подпитки кристаллизуемого расплава расчет g производят с учетом параметра подпитки А. [3]
Методы выращивания однородно легированных по длине монокристаллов полупроводников с использованием подпитки кристаллизуемого расплава обеспечивают получение монокристаллов с совершенной структурой. Они могут служить основой непрерывных процессов получения монокристаллов полупроводников, обладающих высокой производительностью и стабильностью параметров продукции. [4]
На производстве для устранения неравномерности распределения легирующих примесей по длине слитка применяется подпитка расплава материалом, состав которого совпадает с составом выращиваемого кристалла. В этом случае парциальная плотность примесей на границе кристалл - расплав не изменяется со временем и граничное условие ( У. [5]
Для получения легированных кристаллов в тигель с расплавом вводят навеску лигатуры, рассчитанную в соответствии с коэфф. Перспективным является метод подпитки расплава чистым материалом. При плохом перемешивании расплава вокруг кристалла и наличии тепловой асимметрии наблюдаются локальные колебания электросопротивления в кристалле. [6]
 |
Схемы реакторов для пиролиза природного газа.| Схема установки для получения монокристаллов тугоплавких металлов. [7] |
Сбоку в плазменную струю подается исходный материал в виде прутка 3, который, попадая в высокотемпературную зону, оплавляется, и жидкий металл каплями 6 стекает в зону расплава на торце монокристаллической затравки, обеспечивая тем самым непрерывную подпитку расплава. Одновременно с процессом подпитки расплава жидким металлом происходит опускание затравки монокристалла со скоростью, обеспечивающей нормальный процесс кристаллизации. [8]
При отсутствии подпитки кристализуемого расплава g представляет собой отношение объема или массы выращенного кристалла к первоначальным объему или массе кристаллизуемого расплава. Однако в условиях подпитки кристаллизуемого расплава расчет g производят с учетом параметра подпитки А. [9]
 |
Тигель для капиллярной подпитки легированного расплава. [10] |
Было предложено несколько различных способов подпитки расплава. [11]
Монокристаллы кремния электронного типа проводимости, как правило, легируют фосфором, а дырочного - бором. Для получения равномерного распределения легирующей примеси в монокристалле в процессе роста проводят подпитку расплава твердой, жидкой или парообразной фазой, содержащей легирующую примесь. [12]
Страницы: 1