Cтраница 3
Результаты экспериментов показали, что процесс затвердевания титановых слитков при различных давлениях газа достаточно хорошо описывается законом квадратного корня. Толщина затвердевшей корки по мере повышения давления увеличивается. [31]
Эквивалентная электропроводность Лт как функция У т в HF при 293 К. [32] |
Даже приняв во внимание, что точность измерений в неводных растворах недостаточно велика, можно сделать вывод, что закон квадратного корня соблюдается достаточно хорошо. [33]
Пользователь с помощью ручного коммуникатора может сконфигурировать прибор на различные типы выходных характеристик: прямую или обратную, линейную или по закону квадратного корня. [34]
Из анализа полученных выше результатов видно, что при поглощении излучения по почти экспоненциальному закону погрешность значительно меньше, чем погрешность в случае выполнения закона почти квадратного корня. Поэтому для выпрямления градуировочной кривой необходимо уменьшить длину рабочих камер. [35]
Воздействие на фоторезистор импульса света ( а, частотная ( б и спектральные ( в характеристики фоторезисторов. [36] |
В результате концентрация электронов и дырок, а следовательно, и проводимость полупроводника возрастают не прямо пропорционально световому потоку ( числу ежесекундно возбуждаемых атомов), а увеличивается по закону квадратного корня. Это и предопределяет нелинейность световых характеристик, что является существенным недостатком фоторезисторов. [37]
Мы не будем останавливаться на этих подробностях и подчеркнем лишь следующий качественный вывод: при регистрации интегральных интенсивностей реальным спектральным прибором мы практически никогда не можем получить строгого асимптотического поведения кривой роста в соответствии с законом квадратного корня. С этой точки зрения кажутся вполне естественными результаты Саммерфилда и Стронга [264, 265], Матосси и Раушер [ 2661, Цхая и Мандельштама [267], констатировавших отклонение кривых роста от корневой зависимости. [38]
По данным П. С. Перминова [348], изучавшего влияние давления на растворимость водорода в ниобии при 620 - 680, абсорбция в области заполнений кристаллической решетки от 0 53 до 0 73 г-атом Н на 1 г-атом Nb также подчиняется закону квадратного корня. [39]
Поскольку решетка по предположению выпадает, в два раза чаще, чем герб, то для большого числа испытаний ( ev - Ор) 2 будет гораздо больше ( ег - ог) 2, исходя из упомянутого выше закона квадратного корня. Поэтому мы хотим придать различный вес этим двум слагаемым, причем оказывается удобным учитывать их с весом, обратно пропорциональным ожидаемым результатам. [40]
В главах II-VI рассмотрены самые разнообразные случаи взаимодействия переходных металлов с водородом, начиная с образования гидридов стехиометрического состава, таких как UH3 и СеН2, гидридных фаз переменного состава, характерных, например, для металлов подгруппы титана и ванадия, и, наконец, растворов водорода, подчиняющихся закону квадратного корня Сивертса для металлов VIII, Ib, и ПЬ групп. [41]
Закон квадратного корня позволяет удобно определять Лео путем экстраполяции. [42]
ЗСС К [ те - количество С02 на пути светового луча, выраженное как толщина слоя ( в см), к-рый занял бы газ при Т 273 15 К ( С С) и давлении 760 ммрт. Область применимости закона квадратного корня выделена на рис. пунктиром. [43]
Даже при наличии этих точных данных вопрос остается нерешенным ввиду резкой зависимости К от принимаемых значений Лео. Определение Лет по закону квадратного корня ( Коль-рауша) при наличии недиссоциированного растворенного вещества становится уже невозможным. Вывод закона Оствальда не точен [ уравнение ( 25) ], так как в нем ионы рассматриваются как нейтральные частицы и совершенно не учитываются их электрические свойства. Таким образом, данные современной кондуктометрин подтверждают мнение, согласно которому недиссоциированные молекулы существуют в растворах как сильных, так и слабых электролитов. [44]
Ьм, то погрешность является систематической и суммируется алгебраически. В противном случае погрешность случайная и суммируется по закону квадратного корня с коэффициентом, отвечающим характеру распределения погрешностей. [45]