Cтраница 4
В описании подсхемы указываются имена тех областей, записей, наборов схемы, которые доступны при использовании данной подсхемы. [46]
Цепочка абстракций. [47] |
Для описания подсхем и их соответствия концептуальной схеме требуется язык определения данных подсхемы, который часто оказывается аналогичным языку определения данных, хотя в ряде случаев используемая им модель данных отличается от модели данных языка определения данных. В действительности может существовать несколько различных языков подсхемы, основанных на различных моделях данных. Функция ( 2) санкционирования доступа к базе данных требует применения специализированного языка, описывающего желаемые привилегии и их получателей. Этот язык может быть частью языка определения данных или языка манипулирования данными. Функции ( 3) и ( 4) выполняются с использованием языка определения данных, а функция ( 5), обеспечивающая надежность системы, - с помощью особого инструментария, являющегося частью СУБД. [48]
На основе полученной подсхемы ( см. рис. 6.2) разработаем проект макета ( рис. 6.3), определяющий общую структуру формы. [49]
Схему или подсхему можно рисовать, изображая каждый элемент данных и представляющие интерес связи между ними в следующем &1. [50]
СУБД считывает подсхему для данной прикладной программы и осуществляет в ней поиск описания данных, на которые выдан вапрос. [51]
ЗЗа. Граф подсхемы N2 ( к схеме на 4 - 31. [52] |
Рассмотрим теперь подсхему N2, соответствующую собственно ЭМУ поперечного поля. [53]
В такой подсхеме наличие любой одиночной константной неисправности проверяется тремя входными наборами. [54]
Если в подсхеме для некоторого оператора указан код обращения, то перед выполнением этого оператора прикладная программа должна задать этот код в специальном поле РОП LOCKS. Лишь при правильном задании кода обращения запрошенный оператор будет выполнен. [55]
На каждой выделенной подсхеме необходимо обозначить номера узлов, после чего составляется укороченная матрица проводимости каждой подсхемы. [56]
При этом подсхемам первого типа в условии 3) соответствуют обычные вершины симплекса Р, подсхемам второго типа - бесконечно удаленные вершины. [57]