Cтраница 2
Таким образом, в случае стационарного распределения вычисление основных вероятностных характеристик процесса на выходе системы сводится к элементарным подсчетам с помощью табулированных функций. Имея функцию распределения, не трудно вычислить и другие характеристики процесса амплитуды. [16]
Таким образом, в случае стационарного распределения вычисление основных вероятностных характеристик процесса на выходе системы сводится к элементарным подсчетам с помощью табулированных функций. Имея функцию распределения, нетрудно вычислить и другие характеристики процесса амплитуды. [17]
Если проводят статистический расчет по технологическим данным, округленным до двух десятичных знаков, то вместо характеристики точности метода химического анализа получают совместную характеристику точности анализа и точности элементарного подсчета. [18]
С идейной точки зрения этот результат, очевидно, примыкает к простейшим соображениям, высказанным в свое время Хартли: он никак не связан с теоретико-вероятностными рассмотрениями ( слово вероятность в § 1 даже ни разу не упоминалось) и фактически опирается лишь на элементарный подсчет числа различных последовательностей из N букв п-буквенного алфавита и различных последовательностей из JV ] элементарных сигналов. Поэтому вряд ли можно считать, что результаты предыдущего параграфа доказывают важность теории информации для технической задачи передачи сообщений, о чем говорилось в предисловии к настоящей книге. На самом деле, однако, результаты § 1 могут быть значительно улучшены, если воспользоваться введенным в гл. [19]
Элементарный подсчет показывает отсутствие какой-либо корреляции между измеренными поперечными сечениями s / a2 и размерами иона. [20]
Элементарный подсчет показывает, что такой способ требует на каждую печь специального рабочего для заброски колчедана. [21]
Элементарный подсчет показывает отсутствие какой-либо корреляции между измеренными поперечными сечениями s / a. [22]
Я - газовая постоянная, V - объем раствора. Элементарный подсчет показывает, что осмотическое давление в растворе Не3 - Не4 чрезвычайно велико. [23]
Путем элементарных подсчетов можно установить, что в продуктах сгорания будет содержаться ( в объемн. [24]
Строго говоря, к собственным нуждам топки следовало бы отнести и расход электроэнергии на распылива-ние мазута. Однако элементарный подсчет показывает, что на каждые 10 ат давления мазута приходится всего лишь около 0 01 % расхода топлива, в связи с чем учет этой величины или воздействие на нее с целью поднятия экономичности котлоагрегатов вряд ли имеет смысл. [25]
К 0, то в последнем случае несобственный интеграл сходится и в обоих случаях J ( t) o ( ZN i) ext. Это проверяется элементарным подсчетом. [26]
Распределение усилий между отдельными заклепками одного продольного ( параллельного действующему усилию) ряда при проектировании принимается равномерным. Однако даже элементарным подсчетом можно показать, что при материале, работающем в пределах упругости, распределение усилий между заклепками крайне неравномерно. Неравномерность распределения усилий между заклепками возрастает с увеличением шага заклепок в ряду. [27]
При высоких температурах величина kT существенно больше расстояния между энергетическими уровнями колебаний и квантовый характер распределения колеблющихся атомов по энергетическим уровням не сказывается на значении средней энергии колебания. При таких условиях элементарный подсчет средней энергии вполне правомочен, и строгое вычисление, учитывающее распределение атомов по энергиям в соответствии с законом Больцмана, полностью его подтверждает. [28]
При разработке проекта цеха по укрупненным расчетам общую площадь цехового склада металла вычерчивают на плане цеха в принятом масштабе в виде прямоугольника, примыкающего к плану заготовительного отделения. Длину и ширину этого прямоугольника определяют элементарным подсчетом, исходя из конструктивной увязки взаимного сопряжения планов цехового склада металлов и заготовительного отделения. При этом в случаях такой планировки цехового склада металлов, когда ввод железнодорожного пути на склад предусмотрен через пристройку ( см. фиг. [29]
Из изложенного следует, что распределение зарядов в ионах ( одного - в одновалентных ионах и двух - в двухвалентных) не является сферически-симметричным и неперекрывающимся. Однако такое простое предположение лежит в основе элементарных подсчетов положения энергетических уровней в ионных кристаллах. [30]