Косвенный подход

Cтраница 1

Косвенный подход к проблеме заключается в измерении энергии первичного электронного пучка. Установка и калибровка такого прибора чрезвычайно облегчаются при использовании простого аналогового вычислительного устройства, состоящего из легкой и гибкой натянутой проволоки, по которой идет ток. [1]

Такой косвенный подход обычно не корректен. [2]

При косвенном подходе, описанном выше, возможные расположения атомов определяют на основании геометрии ячейки, ее симметрии и химических соображений о допустимых структурных особенностях. Было разработано, кроме того, несколько очень эффективных методов, позволяющих преодолеть трудность, связанную отсутствием фаз структурных факторов, и получить информацию об атомном расположении непосредственно из значений одних лишь структурных амплитуд. Эти методы позволяют уменьшить число предположений и долю химической интуиции, необходимых для расшифровки кристаллической структуры. Они требуют значительных вычислений, для которых необходимо использование быстродействующих счетных машин. [3]

При этом наиболее простым оказывается косвенный подход. При нулевой частоте цепь с емкостью становится разомкнутой. [4]

S. 4. Энергии локализации катиона в полициклических углеводородах. [5]

В связи с этим для приготовления 9-замещенных производных антрацена и фенантрена часто нужен косвенный подход. [6]

При использовании подвижного ( несингулярного) изопараметрического элемента коэффициенты интенсивности напряжений рассчитывают, пользуясь косвенными подходами. Наиболее точная оценка может быть получена при использовании интегралов, не зависящих от пути интегрирования, которые берут по дальнему контуру, о чем будет идти речь ниже. [7]

По мере накопления знаний о количественном распределении различных липидов в мембранах становится возможным создание более точных моделей. Используя такой косвенный подход, удается истолковать те немногочисленные данные о структуре мембраны, которые были получены экспериментальным путем. Этими последними мы обязаны почти исключительно электронной микроскопии. Анализ электронных микрофотографий ( фото 3) выявляет некоторые универсальные и характерные черты мембран, которые мы опишем ниже. При использовании таких же и аналогичных способов фиксации мембрана представляется в виде двух слоев вещества, сильно поглощающего электроны, разделенных светлой полосой. Эти измерения хорошо согласуются с данными Роберт-сона [23, 24], полученными при изучении разнообразных животных мембран. [8]

Уравнение переноса количества движения в течениях в пограничном слое, когда появляется течение со скольжением, будет для нас лишь предметом предварительного исследования, и мы используем его только для оценки возможного эффекта скольжения. Последний метод представляет интересный косвенный подход к задаче пограничного слоя и рассматривается впервые. [9]

Это обычный, но несколько косвенный подход. [10]

Достойные упоминания проблемы могут включать крупного конкурента с похожим продуктом, старение продукта, не успевшего за меняющимися рыночными требованиями, рост потребности в квалифицированных продавцах, из-за чего вознаграждение становится высоким, а качество кандидатов - низким, или тенденцию к повышению цен, вызванную плохим состоянием экономики. Эти проблемы можно решить, просто снизив прогноз прибыли, но этот косвенный подход препятствует намного более эффективному методу прямого воздействия на каждое препятствие и идентификации шагов, которые можно предпринять для смягчения потенциального ущерба. [11]

Степень дисперсности добавки существенно влияет на эксплуатационные качества композиции и поэтому является важной характеристикой. Нужно, однако, подчеркнуть, что в некоторых случаях степень дисперсности бывает трудно определить оптическими методами, в частности, когда нет разделения фаз. Неудивительно поэтому, что степень дисперсности часто оценивают скорее косвенно, чем измеряют непосредственно. Такой косвенный подход основан на оценке относительной эффективности добавки для модификации тех или иных свойств полимера. [12]

В первых двух главах книги рассмотрена равновесная СН-кислотность. Глава I посвящена описанию методов исследования равновесной кислотности, в ней приведены значения рКа для многих СН-кислот. При определении кислотности таких слабых кислот, как СН-кислоты, возникают значительные экспериментальные трудности, связанные с большим масштабом изменения рКа в зависимости от строения СН-кислоты. Поэтому важной задачей является нахождение новых прямых и косвенных подходов к определению относительной кислотности. В последнее время появилось много новых работ в этой области, которые подробно рассмотрены в главе I. Необходимо отметить, что большинство методов применимо к более или менее узкой области изменения трКа, а задача создания универсального метода, позволяющего точно определить величины рКа для любых СН-кислот, все еще остается нерешенной. [13]

Переходные процессы на выходе для прямоугольного входного импульса. [14]

Здесь мы рассмотрим транзистор только в переходном режиме. Следовательно, необходимо найти нестационарные решения диффузионного уравнения. К решению этой проблемы можно подойти двояко: прямым или косвенным путем. Прямой подход заключается в решении диффузионного уравнения при граничных условиях, соответствующих каждому яз рассматриваемых переходных процессов. Косвенный подход заключается в работе с эквивалентными схемами ( такими, какие были использованы в последних двух главах, и другими) для получения переходной функции. Прямой подход более фундаментален и значительно более труден для применения, чем косвенный. Однако он позволяет лучше понять явления, происходящие при переходных процессах. Действительно, будет обнаружено несколько эффектов, которые косвенный метод неспособен воспроизвести. [15]

Страницы: 1 2