Cтраница 1
Закон роста, полученный при использовании термопары, дан под № 1 табл. VII.6. Под № 2 приведены более ранние результаты Неймана и Минуса, использовавших капиллярную технику. Они очень близки к результатам Киртисинга, полученным с применением термопары, хотя скорости роста несколько ниже. Этого можно было ожидать, поскольку метод роста в капилляре не устраняет полностью разницу температур между объемом расплава и поверхностью кристалла. [1]
Закон роста (4.5.10) определяет, если можно так выразиться, экономические и хронологические координаты Культуры в сфере материальной экономики. [2]
Закон роста этих членов очевиден, поскольку отдельные множители как в числителе, так и в знаменателе непрерывно увеличиваются на одно и то же число п, так что, зная первый член, уже легко образовать следующие. [3]
Закон роста напряжения более не зависит от экспериментатора, который мог медленно изменять Е и R; закон роста напряжения теперь задается параметрами сети, индуктивностью и емкостью, а также степенью ионизации газовой среды между электродами. [4]
Закон роста окисла до - 500 С является логарифмическим, однако достигаемые толщины слишком велики, чтобы их можно было объяснить переносом под действием электрического поля. Поэтому следует искать другие причины, например образование полостей. Действительный механизм до сих пор не установлен. Выше 550 С действует параболический закон окисления при направленной внутрь диффузии ионов кислорода. Выше 850 С отмечается паралинейный рост окисла. Окалина состоит из внутреннего плотного слоя постоянной толщины и наружного пористого утолщающегося слоя окислов. Первоначально утолщение происходит по параболическому закону, но через некоторый период времени скорость окисления становится постоянной, соответствующей формированию внешнего слоя. [5]
Закон роста окисной пленки во времени в значительной степени зависит от ее защитных свойств. [6]
Закон роста производительности труда - всеобщий экономический закон; выражается в сокращении затрат рабочего времени на производство продукции. Всеобщим он является в силу того, что отражает определенные связи и отношения, свойственные всем формациям. Однако форма проявления и механизм действия закона меняются под влиянием характера производственных отношений в результате изменения способа соединения рабочей силы и средств производства. [7]
Закон роста окисной пленки во времени в значительной степени зависит от защитных свойств образующейся пленки. [8]
Закон роста оксидной пленки Mg отличается от обычного аррениусовского дополнительной зависимостью от температуры в виде множителя Тт - Т, что можно трактовать как наличие теплового торможения некоторых стадий реакции окисления. [9]
Формулируя закон роста, необходимо принять за основу либо какое-то определенное предположение о форме частиц ( например, принять частицы шарообразными), либо положение, что площадь пропорциональна объему в степени 2 / з, что также подразумевает некоторую постоянную форму. Более того, предполагается, что все элементы площади одинаково эффективны как участки роста. В следующем разделе будет показано, что закономерности роста ощутимо зависят от формы кристаллических частиц и нет основания априорно полагать, что данная форма частицы сохраняется в течение всего периода роста. [10]
Если закон роста линейный и если Кт постоянно, то отношение ( NA - NA ( S)) I ( NA ( s) - Л л ( оо)) постоянно относительно полного пересыщения и пропорциональные части, соответствующие массопереносу и поверхностной реакции, не зависят от полного пересыщения. [11]
Пусть закон роста массы пузырька известен: т т ( х, XQ, т3), где т3 - масса зарождающегося пузырька. [12]
Пусть закон роста массы пузырька известен ml ml ( x, XQ, rr3), где т - масса зарождающегося пузырька. [13]
Получен закон роста малых возмущений и общее решение для конечных возмущений с давлением, равным нулю. [14]
Найти закон роста дерева любой породы, учитывая, что зрелое растение в процессе роста сохраняет геометрическое подобие. Свободную энергию ( активное вещество) растение получает путем фотосинтеза. За большие промежутки времени растение получает постоянное количество света на единицу поверхности и может поглощать необходимые вещества из неограниченного запаса. [15]