Cтраница 2
Пленки Si02, используемые в технологии полупроводниковых приборов, не должны содержать сквозных пор. Неудовлетворительная сплошность пленок часто является причиной технологического брака. Макродефекты структуры пленки обычно представляют собой поры, образующиеся при несовершенном росте окисла, границы кристаллов ( если стеклообразная пленка склонна к рекристаллизации); микротрещины, формирующиеся из-за несоответствия коэффициентов термического расширения подложки и пленки. Последние два вида макродефектов встречаются на относительно толстых пленках и могут быть устранены изменением технологического режима. Причиной порообразования могут быть определенные виды загрязнений и структурных дефектов на исходной поверхности кремния. Часто поры могут образовываться за счет окклюзии ( захвата) газов, а. Как пассивирующее покрытие пленка также непригодна, потому что при этом не обеспечивается герметичность структуры. [16]
Пленки SiQ2, используемые в технологии полупроводниковых приборов, не должны содержать сквозных пор. Неудовлетворительная сплошность пленок часто является причиной технологического брака. Макродефекты структуры пленки обычно представляют собой поры, образующиеся при несовершенном росте окисла, границы кристаллов ( если стеклообразная пленка склонна к рекристаллизации); микротрещины, формирующиеся из-за несоответствия коэффициентов термического расширения подложки и пленки. Последние два вида макродефектов встречаются на относительно толстых пленках и могут быть устранены изменением технологического режима. Причиной порообразования могут быть определенные виды загрязнений и структурных дефектов на исходной поверхности кремния. Часто поры могут образовываться за счет окклюзии ( захвата) газов, а также при слиянии точечных дефектов ( вакансий) в кластеры. Как пассивирующее покрытие пленка также непригодна, потому что при этом не обеспечивается герметичность структуры. [17]
Кроме того, при повышенных температурах, например превышающих примерно 50 С, критический потенциал пробоя еще более снижается; так, при 90 С он располагается около U 2 4 В. И наконец, на потенциал пробоя может повлиять и химический состав среды. Это относится, например, к кислым средам, содержащим галогеноводороды. В таких случаях в качестве основного металла принимают материал, который, как и титан, имеет вентильные свойства, но в целом значительно более стабилен, например предпочтительно ниобий и тантал. При вышеназванных ограничивающих условиях потенциалы пробоя здесь получаются значительно более высокими. Для ниобия и тантала в хлоридсодержащих растворах допустимы движущие напряжения до 100 В. Поэтому платинированные аноды из ниобия и тантала могут применяться почти без ограничений. Они оказываются неэффективными ( как и титан) только в средах, содержащих фториды и фторид бора, поскольку в этих средах все три основных металла не могут образовать пассивирующего покрытия. [18]