Полупроводниковое покрытие
Cтраница 1
Полупроводниковое покрытие наносится на металлическую подложку путем испарения в вакууме. Полупроводниковый слой селена, окиси цинка, фосфора или селенистого кадмия может храниться на свету. Затем селеновую пластину сенсибилизируют, то есть делают чувствительной к свегу. [1]
 |
Идентификация прямых линий путем измерения расстояния по нормали между отрезком прямой и позицией курсора. [2] |
На поверхности полупроводникового покрытия ( специальная бумага) генерируется такое электрическое поле, чтобы потенциал на указке мог быть использован для определения ее положения. [3]
Среди различных методов получения металлических, диэлектрических и полупроводниковых покрытий метод термического разложения металлоорганических соединений ( МОС) является наиболее перспективным. Применение МОС для этой цели основано на том, что при их разложении в зависимости от условий проведения процесса и типа используемых веществ образуются элементы или соединения, чистота которых в основном определяется степенью чистоты исходных МОС. [4]
 |
Конструкции катодов прямого накала. для цилиндрических систем электродов, б - для плоских систем электродов. [5] |
Лучшими по своим свойствам являются катоды с полупроводниковым покрытием в виде окислов ( оксидов) щелочно-земельных металлов - бария и стронция. Эти катоды называются оксидными. Оксидные катоды обладают меньшей работой выхода. [6]
Все сказанное дает основание к развертыванию работ в области полупроводниковых покрытий линейных и подстанцишных изоляторов для районов с очень сильным загрязнением. [7]
Электропроводность контактов должна в 20 и более раз превышать проводимость самого полупроводникового покрытия на стекле. [8]
 |
Электрическая схема вакуумного агрегата установки на. [9] |
Рассмотрим типовые участки схемы установки ва-куумного напыления, предназначенной для нанесения на поверхность стеклянной подложки металлических или полупроводниковых покрытий методом термического испарения Е вакууме. [10]
При замыкании ключа 5 между электродом и электрофотографическим материалом возникает коронный заряд, в процессе которого осуществляется осаждение ионов определенной полярности на поверхности полупроводникового покрытия. [11]
 |
Коэффициент ослабления V, входящие. в ираженме для усиления лампы бегущей волны ( влияние неоднородности в начале спирали. [12] |
Значительно более выгодным способом устранения обратной связи является применение сосредоточенных ( локальны) затуханий, заключающееся в нанесении на коротком участке в середине спирали полупроводникового покрытия. Бегущая в обратном направлении волна на этом участке почти полностью поглощается; почти исчезает и продольная составляющая электрического поля прямой волны, но переменные составляющие схорости и конвекционного тока в луче сохраняются. [13]
Селективный солнечный поглотитель имеет высокую поглощательную способность при малых длинах волн и низкую степень черноты в длинноволновой области Такими свойствами обладает металлическая поверхность с тонким полупроводниковым покрытием. Можно также использовать покрытия, полученные на алюминии в результате напыления и обжига и образованные осаждением в вакууме пленки. [15]
Страницы: 1 2