Поле - поверхностный заряд
Cтраница 2
В поле объемных зарядов вектор Е везде конечен и непрерывен. В поле поверхностных зарядов вектор Е конечен всюду, но претерпевает разрыв на поверхности S, по которой распределен заряд. В поле линейных зарядов вектор Е обращается в бесконечность на линии L, вдоль которой распределен заряд. [16]
Иными словами, нормальная слагающая вектора Е испытывает скачок 4гсо при прохождении через любую заряженную поверхность, вне зависимости от формы этой поверхности и от наличия или отсутствия зарядов вне ее. Объясняется это тем, что поле поверхностных зарядов по разным сторонам поверхности направлено в противоположные стороны: от поверхности, если она заряжена положительно, и к поверхности в случае отрицательного заряда. [17]
Иными словами, нормальная слагающая вектора Е испытывает скачок 4лст при прохождении через любую заряженную поверхность, независимо от формы этой поверхности и от наличия или отсутствия зарядов вне ее. Объясняется это тем, что поле поверхностных зарядов по разные стороны поверхности направлено в противоположные стороны: от поверхности, если она заряжена положительно, и к поверхности в случае отрицательного заряда. [18]
Иными словами, нормальная слагающая вектора Е испытывает скачок 4тгт при прохождении через любую заряженную поверхность, независимо от формы этой поверхности и от наличия или отсутствия зарядов вне ее. Объясняется это тем, что поле поверхностных зарядов по разные стороны поверхности направлено в противоположные стороны: от поверхности, если она заряжена положительно, и к поверхности в случае отрицательного заряда. [19]
Как уже было сказано в гл. II, искривление зон за счет поля поверхностного заряда может привести к образованию у поверхности кристалла тонкого слоя ( порядка 10 - 4 - 10 - 6 см), электропроводность которого будет противоположна электропроводности в основном объеме кристалла. Такие слои называют инверсными. [20]
Выражение (18.17) сформулировано в локальном виде и определяет плотность энергии как функцию напряженности электрического поля и свойств среды в данной точке, учитываемых смещением D. Ясно, что справедливость этой формулы не может зависеть от того, каким способом создано электрическое поле в данной точке. Поэтому выражение (18.17) справедливо не только для постоянных полей, но и для переменных. Другими словами, эта формула выражает плотность энергии электрического поля, а не только электростатического, нергия поля поверхностных зарядов. [21]
Изменение поверхностных свойств является основной причиной ухудшения характеристик полупроводниковых приборов и их нестабильности. Инверсионные слои существенно меняют характеристики р - n - переходов, а в полупроводниковых триодах создают проводящий поверхностный канал, что приводит к недопустимо большим значениям нулевого тока коллектора и резко ухудшает управляющую способность эмиттера. Обогащенные слои приводят к поверхностным пробоям, наступающим при значительно меньших напряжениях, чем пробои в объеме. Причиной этого является наложение вблизи поверхности на поле р - re - перехода поля поверхностного заряда, в результате чего напряженность поля возрастает. [23]
Единицей диполыюго момента является дебай ( Д) 1 Д 3 33564 X Х10 - 30 Кл - м ( Ы0 - 18 эл. Дипольный момент многоатомной молекулы приближенно равен векторной сумме дипольных моментов связей или атомных групп в молекуле с учетом валентных углов. Полярные и неполярные молекулы, попадая во внешнее статическое электрическое поле, создаваемое между заряженными обкладками конденсатора, ведут себя неодинаково. Полярная молекула стремится ориентироваться в поле по направлению его линий так, чтобы центр тяжести положительных зарядов был направлен к отрицательному, а отрицательных - к положительному полюсу поля. Такое положение молекулы отвечает минимуму потенциальной энергии и наибольшей устойчивости. Неполярная молекула в электрическом поле не ориентируется. Под воздействием электрического поля центры тяжести зарядов молекул любого вещества смещаются друг относительно друга на некоторое расстояние. Смещение зарядов полярной молекулы несколько увеличивает постоянный дипольный момент и способствует превращению неполярной молекулы в электрический диполь с наведенным ( индуцированным) дипольным моментом ц Ипд. Принимают, что под действием не слишком больших полей индуцированный дипольный момент прямо пропорционален напряженности Е эффективного электрического поля внутри диэлектрика. Величина Е равна разности напряженности поля зарядов на обкладках конденсатора Е0 и напряженности поля поверхностных зарядов индуцированных диполей Е, так как эти поля имеют противоположные направления. [24]
Страницы: 1 2