Поле - накачка
Cтраница 2
Предположим, что амплитуда поля накачки велика по сравнению с амплитудой поля сигнала и остается постоянной, так что можно пренебречь обратным влиянием пучка на поле накачки. Таким образом, поле накачки будет входить в уравнения движения электронов как заданная вынуждающая сила. [16]
 |
Зависимость от напряжения смещения на близких часто. [17] |
Исследование диодов Шоттки из GaAs в поле СВЧ накачки показало, что при протекании прямых токов детектирования избыточные шумы отсутствуют. [18]
Под действием внешнего поля, называемого также полем накачки, меняется число переходов и населенность уровней. Посмотрим, нельзя ли создать инверсную населенность при помощи накачки. [19]
При условии фазового синхронизма амплитуды генерируемых волн за счет энергии поля накачки постепенно возрастают при распространении вдоль кристалла. Причем само возбуждение волн имеет пороговый характер. [20]
Ширина спектра не влияет на точность ОВФ, если пространственная структура поля накачки не меняется во времени. Ситуация изменяется для нестационарного во времени волнового фронта. При этом дискриминация некоррелированных компонент поля ослабевает, что связано с инерционностью гиперзвуковой голограммы, возникающей в объеме рассеивающей среды. Таким образом, изменение пространственной структуры поля должно происходить лишь через интервалы времени А 2л / Аон, превышающие время релаксации гиперзвука тг, что выполняется во многих задачах лазерной оптики. [21]
Но одновременно имеются переходы с уровня 3 па 4 под действием поля накачки с частотой vH2 ( обеднение уровня 3), что способствует переходам с уровня / на 3 и получению меньшей населенности уровня 1 в установившемся режиме. [22]
Параметром, который изменяется под действием электромагнитного поля с частотой юн ( поле накачки), является намагниченность или внутреннее магнитное поле, периодические изменения которых и могут привести к возбуждению спиновых волнсд О. [23]
Таким образом, использование многомодовой модели позволяет дать полную картину ВКР в поле заданной шумовой накачки, детально проследить зависимость инкремента от ширины и даже формы спектра. Сказанное лишний раз убеждает в плодотворности удачного выбора модели процесса. [24]
Это и есть требуемые выражения для дисперсии эрмитовых амплитуд в присутствии флуктуации поля накачки. [25]
Рассмотрим для определенности случай, когда группировка электронов осуществляется благодаря поперечной неоднородности поля накачки. [26]
Здесь опять возможен альтернативный режим, когда образование разрывов и последующее быстрое затухание поля накачки происходят в волновой зоне и формируется как бы рупорный излучатель на низкой частоте. [27]
Для выяснения механизма эффекта было снято распределение пузырьков по радиусам при разных интенсивностях поля накачки: оказалось, что с ростом интенсивности концентрация пузырьков падает в широком интервале радиусов. Кроме того, эксперимент показал, что эффект носит нерезонансньш характер. Это имело и прямое подтверждение: для более крупных пузырьков, видимых глазом ( R 40 мкм), наблюдалось образование пузырьковых гроздей и слияние пузырьков. [28]
Схема КУБВ с замедляющей системой - He-казана на рис. 11.7. В результате воздействия поля накачки парамагнитное вещество становится активным, и это эквивалентно введению в систему отрицательного сопротивления. По мере распространения сигнала по замедляющей системе его амплитуда непрерывно увеличивается за счет энергии, выделяемой при вынужденных переходах. [29]
На самом деле этот пример больше всего обсуждается в литературе, так как в экспериментах с полем накачки и пробным сигналом возбуждающий лазерный импульс часто имеет гауссову форму, что приводит к гауссовой или почти гауссовой весовой функции Wn. Поэтому мы называем результирующий сигнал типичным. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5