Поле - пластина - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Ценный совет: НИКОГДА не разворачивайте подарок сразу, а дождитесь ухода гостей. Если развернете его при гостях, то никому из присутствующих его уже не подаришь... Законы Мерфи (еще...)

Поле - пластина

Cтраница 1


Поле пластин ( рис. 194) характеризуется напряженностью Е0, поле поляризационных зарядов - напряженностью Ех.  [1]

2 Электронная пушка с экранирующим электродом. [2]

Покинув поле пластин, электрон движется прямолинейно и на расстоянии h от оси попадает на экран. Величина отклонения h - пропорциональна напряжению ис на отклоняющих пластинах.  [3]

Опускают фольгу на селеновое поле пластины ( если изображение переносится на кальку, то необходимо вначале положить кальку на селеновую пластину, а затем поверх кальки фольгу) и, опу стив контакты 7, поворачивают рукоятку тумблера 3 в положение Вкл. Поворотом ручки потенциометра по часовой стрелке устанавливают стрелку вольтметра на рабочую метку шкалы и смотрят, нет ли пробоя между контактами и фольгой. Если есть пробой ( зафиксировать который можно по легкому шуму), то следует уменьшить напряжение ( для переноса изображения на фольгу необходимо напряжение 350 в); после чего поворотом тумблера выключают питание и, подняв контакты, снимают фольгу ( или фольгу с калькой) с селеновой пластины.  [4]

5 Световая характеристика супер-ортикона.| К выводу величины чувствительности к отклонению. [5]

Траекторией движения электронов в поле пластин, которое в первом приближении можно считать однородным, является парабола.  [6]

Далее он попадает в поле пластин 3 - 4, которые создают развертку во времени.  [7]

При вылете электрона из области поля пластин на него перестают действовать силы.  [8]

Отрицательно заряженная пластина В притягивается полем пластины А.  [9]

Искомая величина отклонения h равна сумме отклонения электрона в поле пластин / г, и отклонения / г., вызванного изменением направления движения электрона в поле пластин.  [10]

Анод А3, увеличивая скорость электронов после их отклонения полем пластин, повышает яркость изображения.  [11]

Независимость сил взаимного притяжения пластин заряженного плоского конденсатора с твердым диэлектриком от диэлектрической проницаемости F последнего понятна: напряженность поля пластин зависит от г ( уменьшается ц t pan но сравнению с напряженностью /: поля в вакууме) только анугри диэлектрика, пластины конденсатора находятся пне диэлектрики, где напряженность поля равна f: Однако эти рассуждения в равной мере применимы и к конденсатору с жидким или газообразным диэлектриком. Поэтому специального обсуждения требует соотношение (17.22), получающееся и этом случае из закона сохранения энергии. Нужно попять механизм уменьшения силы взаимного притяжения пластин конденсатора при заполнении его жидким или газообразным диэлектриком.  [12]

Искомая величина отклонения h равна сумме отклонения электрона в поле пластин / г, и отклонения / г., вызванного изменением направления движения электрона в поле пластин.  [13]

14 Упрощенная схема электронного осциллографа. [14]

На рис. 5.1 показан вывод от изолированной ( ближайшей к экрану) секции этого слоя, куда подается положительное относительно А2 напряжение, ускоряющее движение электронов к экрану уже после их отклонения полем пластин, что увеличивает яркость светового пятна на экране.  [15]



Страницы:      1    2    3