Поле - управление
Cтраница 4
Слово управления каналом имеет четыре управляющих поля: CF - поле команды; ICF - поле управления прерываниями; В - поле предела загрузки шины; Р - разряд приоритета. [46]
Преимуществами схем продвижения доменов токовыми перфорированными схемами являются: 1) отсутствие катушек для создания поля управления, которые ограничивают быстродействие доменных устройств; 2) допустимость изготовления перфораций в смежных слоях со значительной погрешностью ( до 0 25 Я), что упрощает литографию; 3) возможность управления группами доменов в ЦМД-решетках при максимальной плотности расположения информации. [47]
Преимуществами схем продвижения доменов токовыми перфорированными схемами являются: 1) отсутствие катушек для создания поля управления, которые ограничивают быстродействие доменных устройств; 2) допустимость изготовления перфораций в смежных слоях со значительной погрешностью ( до 0 25 X), что упрощает литографию; 3) возможность управления группами доменов в ЦМД-решетках при максимальной плотности расположения информации. [48]
В более сложных микро - ЭВМ, использующих магистральные приемопередатчики, блоки приоритетных прерываний и другие БИС, поле управления этими микросхемами вводится в состав микрокоманд, что приводит к увеличению их разрядности. С целью повышения быстродействия часто не используется расщепление ПЗУ, и вся микрокоманда пишется в одну строчку. Разрядность ПЗУМК в таких микро - ЭВМ может достигать 64 и более бит. [49]
 |
Формат кадра канального протокола HDLC. а - информационный. б - супервизорный. в - ненумерованный. [50] |
В последнем случае ( расширенный режим) поля N ( S) и N ( R) увеличены до 7 бит и соответственно поле управления в кадре увеличено до 2 байт. В поле N ( S) указывается порядковый номер ( по соответствующему модулю) кадра, а в поле N ( R) - номер следующего ожидаемого кадра для потока данных противоположного направления. [51]
Электромагнитное воздействие тока нагрузки заключается в том, что, протекая по КС, он создает в них магнитное поле, изменяющее значение поля управления, что влияет на электромагнитную силу притяжения КС и контактное нажатие. [53]
 |
Дифференциальная реверсивная схема магнитного усилителя.| Мостовая реверсивная схема магнитного усилителя. [54] |
Обмотки смещения и управления однотактных усилителей МУ1 и МУ2 включены таким образом, что при подаче управляющего сигнала / у в одном усилителе напряженность поля управления и смещения складываются, а в другом - вычитаются. [55]
Это приводит к следующим нежелательным эффектам: а) магнитный поток плоских шин управления проходит большую часть пути по воздуху, поэтому отношение напряженности поля управления к управляющему току невелико; б) часть магнитного потока пленки замыкается внутри витка съема сигнала, не сцепляясь с ним; в) на краях запоминающего элемента существуют большие размагничивающие поля, что приводит к образованию доменов противоположной намагниченности при работе элемента в матрице и снижает порог разрушения хранимой информации. [56]
 |
Представление содержимого устройства в памяти. [57] |
Если информация в приемнике представлена в 4 - или 8-байтном действительном формате, то значащая часть округляется до ширины формата приемника в соответствии со значением поля управления округлением RC управляющего слова, а порядок преобразуется до ширины и длины смещения формата приемника. Если, однако, верхняя позиция стека отмечена признаком специальной величины ( бесконечность, нечисло или денормализованный операнд), то значащая часть содержимого верхней позиции стека не округляется, а просто укорачивается справа для соответствия формату приемника. [58]
 |
Организация запоминающего устройства на ЦМД с и сын о-имплантирован пой структурой продвижения. [59] |
По сравнению с пермаллоевыми структурами продвижения ионно-имплантпрованные структуры позволяют на порядок увеличить информационную емкость чипов при одинаковых возможностях технологического оборудования для их изготовления, а также значительно снизить необходимую величину поля управления, которое в 3 - 4 раза меньше, чем поле, необходимое для структур на пермаллоевых аппликациях при ЦМД того же размера. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5