Cтраница 4
![]() |
Генерация носителей заряда в результате ионизации собственных ( 1 или примесных ( 2, 3 атомов кристалла. [46] |
В сильных полях электроны не успевают отдать решетке энергию, приобретаемую ими от поля за время свободного пробега, и происходит разогрев электронного газа. Рост средней энергии электронов продолжается до установления нового стационарного состояния, при котором энергия W ( g, E) eEv ( §, E), приобретаемая электроном за 1 с, сравняется с энергией W - ( S) 6 ( g) § / т ( й), отдаваемой электроном решетке за то же время. [47]
![]() |
Зависимость внутренней электрической прочности. В11 от кристаллической решетки W. [48] |
В сильных полях электронная проводимость диэлектриков значительно превосходит ионную и является определяющей. [49]
В сильных полях приращение скорости оказывается значительным и оно изменяет длину свободного пробега и частоту соударений. [50]
В сильных полях ( B / kT l) кинетическая энергия движения недостаточна для полного поворота частицы и диполь совершает дважды вырожденные крутильные колебания относительно направления поля. [51]
В сильных полях основным является квадратичный член, отражающий роль ИДМ. В менее сильных - преимущественно проявляется линейный член, отражающий существование постоянного диполя. [52]
При сильных полях, порядка 100000 в / см, скорости ионов достигают метра в секунду. В таком случае за время релаксации ион проходит расстояние, во много раз. При этом скорости, приобретаемые ионами под влиянием больших электрических полей, могут стать столь значительными, что фактическое время взаимодействия ионов станет меньше времени, необходимого для образования ионной атмосферы. В связи с этим ионное облако не сможет образоваться и ионы начнут двигаться так быстро, как если бы они испытывали только сопротивление, вызванное вязкостью растворителя. [53]
В сильных полях, кроме осцилля-ционных эффектов, можно наблюдать ориентационные. Так, меняя ориентацию кристалла и измеряя различные компоненты тензора сопротивления, можно обнаружить открытые траектории движения электронов ( см. рис. 141) по сильному увеличению поперечного магнетосопротивле-ния при некоторых определенных ориентациях поля. [55]
В сильных полях основным является квадратичный член, отражающий роль ИДМ. В менее сильных - преимущественно проявляется линейный член, отражающий существование постоянного диполя. [56]
В сильном поле такими свойствами обладают ионы d и d10, а ион db стабилизирован кристаллическим полем. [57]
В сильных полях правило отбора Ams 1, и возникают две линии, асимметрично расположенные относительно поля 3300 Гс, соответствующего g2 0023 для свободных радикалов в спектрах ЭПР 3-см диапазона. Обычно интенсивность этих линий различна. Интересно, что при промежуточных значениях поля оператор Pz ( совпадающий здесь с sz) имеет отличные от нуля матричные элементы между фж и tyy. Читатель может сам в этом убедиться, пользуясь видом волновых функций. [58]