Столь сильное поле
Cтраница 1
Столь сильное поле будет воздействовать на электроны и ионы, находящиеся на по-рхности, с силой, значительно превосходящей силу тяготения. [1]
Разумно ли говорить о столь сильных полях. [3]
При дальнейшем увеличении напряжения разгоняемые столь сильным полем ионы приобретают энергию, остаточную для ионизации молекул - возникает лавина и происходит пробой газа. [4]
Это объясняется тем, что разгоняемые столь сильным полем ионы приобретают энергию, достаточную для того, чтобы при соударении с молекулами ионизовать их. Число ионов лавинообразно растет - происходит электрический пробой газа. [5]
А должна иметь порядок 107 в / см. Ясно, что столь сильное поле способно вызвать направленное перемещение катионов через пленку при таких температурах, при которых нормальная диффузия слишком незначительна, чтобы обусловить подобное перемещение. [6]
Это обстоятельство, естественно, объясняет то, что для бора акво-соли не характерны. При столь сильном поле молекулы воды должны подвергаться далеко идущей диссоциации, с образованием гидроксо-и даже оксогрупп. Это же обстоятельство, вероятно, играет роль в объяснении сильно выраженной тенденции бора к образованию амидов в результате взаимодействия с аммиаком. [7]
Это сила, с которой тело с массой 2 3 кг притягивается земным полем тяготения. Чтобы преодолеть столь сильное поле, ядро должно обладать перед столкновением громадной кинетической энергией. [8]
 |
Схема иондого проектора. 1 - жидкий видород.. - жидкий лаот. о - острие. и - проводящее кольцо. 5 - экран. [9] |
СО В / им, Столь сильное поле легко создать у поверхности острия ( на расстоянии 0 5 - 1 нм от нее) при достаточно малом радиусе кривизны поверхности - от 10 до 100 нм. Именно поэтому ( наряду со стремлением к большим увеличениям) образец в И. [10]
Вблизи черной дыры необходимо учитывать взаимосвязь не только времени и пространства, но также взаимосвязь пространства-времени и поля тяготения - в полном соответствии с выводами общей теории относительности Альберта Эйнштейна. Здесь пространство - время сильно искажено чудовищно огромным тяготением. Весьма существенно, что в столь сильном поле тяготения время замедляется. [11]
Малая плотность и низкая внутренняя температура Луны означают, видимо, что она состоит преимущественно из силикатов и вследствие этого не обладает собственным внутренним магнитным полем. Поэтому вызывает удивление, что породы на поверхности Луны обнаруживают сильную реликтовую намагниченность, показывая, что они затвердели в присутствии статического ( неколебательного) поля напряженностью порядка 1 Гс. Неясно, могли ли Земля или Солнце создать столь сильное поле. Это явление до сих пор не поддается объяснению [35, 98, 70, 47] и вызывает множество вопросов об условиях, царивших в Солнечной системе примерно 3 - 4 - 109 лет назад, когда формировалась современная поверхность Луны. [12]
Экспериментально получить расщепление, соответствующее слабому полю, оптическими методами трудно ввиду узости сверхтонкой структуры. Поэтому большинство оптических наблюдений относится к средним или сильным полям. При усилении поля возникает явление, аналогичное эффекту Пашена - Бака для обычных сериальных мультиплетов. Теория может быть легко развита для предельного случая столь сильного поля, что связь между моментами У7 и G J окажется полностью разорванной. Тогда каждый из моментов пре-цессирует вокруг направления внешнего манитного поля Н и независимо ориентируется относительно него. [13]
Он позволяет прогнозировать изменения свойств отдельных элементов, когда осуществляют уменьшение их линейных размеров. Так, например, время переключения транзистора должно уменьшиться вдвое, если все его размеры сокращаются наполовину. Этот прогноз опирается на результаты, полученные в ходе решения математических уравнений, с помощью которых описываются элементы. Однако он непригоден, когда краевые условия, используемые при решении уравнений, не допускают соответствующего масштабирования. Более серьезная проблема состоит в том, что напряжение, приложенное к стоку, не может быть выбрано произвольно малым: по соображениям физического плана его значение должно превышать величину, равную примерно 2 В, а если необходимо обеспечить совместимость с ТТЛ ИС, то его следует поддерживать равным 5 В. В столь сильных полях происходит разогрев электронов, и их средняя скорость возрастает настолько, что они проникают в оксид затвора и там попадают в ловушки зарядов ( отчего пороговое напряжение транзистора изменяется) или же проходят туннельно через всю толщину затворного оксида, что также вызывает резкое искажение функциональных характеристик МОП-транзистора. Физические ограничения, определяющие пределы дальнейшего уменьшения размеров элементов и необходимых для их изготовления вспомогательных структур средствами полупроводниковой технологии, в настоящее время хорошо изучены. [14]
Оказывается, что отношение этих длин - параметр Гинзбурга-Ландау - определяет знак поверхностной энергии на границе между нормальной и сверхпроводящей фазами вещества. Если этот параметр меньше единицы ( сверхпроводник 1-го рода), то поверхностная энергия положительна и уже сравнительно небольшое магнитное поле однородным образом проникает внутрь сверхпроводника, разрушая сверхпроводящий порядок. Если же параметр Гинзбурга-Ландау больше единицы и поверхностная энергия отрицательна ( сверхпроводник 2-го рода), то энергетически выгодно чередование нормальной и сверхпроводящей фаз в пространстве. Поле в этом случае проникает внутрь сверхпроводника, локализуясь внутри особых вихревых нитей ( вихрей Абрикосова), образующих внутри металла правильную решетку. Физическое объяснение причины возникновения нитей связано с эффектом Мейсснера: выталкивание магнитного поля ведет к его концентрации в минимальном ( при заданном потоке) объеме. В пространстве между нитями сверхпроводимость сохраняется и ее окончательное разрушение происходит в столь сильных полях ( до нескольких сотен килогаусс), в которых сами нити полностью смыкаются друг с другом. Именно на этом основано широкое практическое применение сверхпроводников 2-го рода в сверхпроводящих магнитах ускорителей, МГД-генераторов и других устройств. [15]
Страницы: 1 2