Cтраница 2
При еще более сильных полях, когда энергия электрона намного превышает энергию оптических фононов Тмоо kQ, основную роль играет именно рассеяние на этих колебаниях. [16]
В еще более сильных полях развивается пробой полупроводника. [17]
При сдвиге в более сильное поле говорят об экранировании протона, сдвиг в более слабое поле соответствует разэк-ранированию. [18]
ЯМР растворителя сдвигались в более сильное поле приблизительно на 8 - 10 Гц. Этот факт подтверждает, что молекулы глима замещают в соль-ватной оболочке рыхлой пары молекулы ТГФ, превращая ее в пару, разделенную молекулами глима. [19]
Гистерезис, наблюдавшийся в более сильных полях, связан, по-видимому, с неоднородной намагниченностью стержня; даже в максимальных полях часть объема стержня намагничена не до насыщения. [20]
Лиганды комплексов класса II создают более сильное поле, чем лиганды класса I. Различие между этими двумя классами соединений проявляется и в скоростях обмена лигандов. У комплексов класса I и некоторых комплексов промежуточного типа скорости обмена велики, тогда как у хелатов класса II обмен идет медленно. Полагают, что как для осуществления реакций обмена, так и реакций олигомеризации необходимо участие всех шести положений октаэдрического комплекса. Предполагаемый механизм, основанный на имеющихся фактах, сводится к образо анию переходного состояния, содержащего четыре молекулы ацетилена. Эти молекулы располагаются таким образом, чтобы облегчить процесс циклизации и последующее вытеснение продукта. [21]
Вещества, втягиваемые в область более сильного поля, называются парамагнетиками. В ряде случаев, например, для таких металлов, как Al, Na и многих других, парамагнитный эффект не сильнее, чем обычный диамагнитный. [22]
Легко понять, что в более сильных полях в результате накопления энергии на одном или нескольких длинах свободного пробега средняя скорость электронов превысит тепловые скорости, что должно привести к снижению подвижности и проводимости. Эффект может стать заметным при тысячах вольт на сантиметр. Также понятно, что в таких полях, которые успевают вывести электроны из толщи полупроводника раньше, чем они успеют рекомбинировать ( или закрепиться на неоднородности решетки), равновесие будет нарушено и закон Ома не будет иметь места. Но все эти явления не могут привести к экспоненциальному росту проводимости. [23]
![]() |
Концентрационные зави. [24] |
Что приводит к смещению сигнала в более сильное поле. [25]
Появляющиеся свободные заряды движутся под действием более сильного поля между коллектором и базой; при этом, если коллектор имеет отрицательный потенциал относительно базы, к нему движутся свободные положительные заряды, а к базе - отрицательные. Таким образом, появившиеся под действием эмиттера свободные заряды собираются током, идущим между коллектором и основанием. [26]
Копп, который работал со значительно более сильными полями, получил линейный ход обеих кривых. [27]
![]() |
Спектр ЯМР 13С к задаче. [28] |
Для каждой пары сигналов сигнал в более сильном поле относится к атому углерода цепи, находящемуся в цис-положении относительно карбонила. [29]
Сигнал протонов метильной группы находится в более сильном поле, мети-леновой - в середине этой области, а метанной - в более слабом поле. [30]