Cтраница 5
Разогрев носителей в высокочастотном поле имеет два важных преимущества-отсутствие контактов в сильных электрич. [61]
При сушке в высокочастотном поле градиент влагосодержания препятствует движению влаги к поверхности. Кроме того, значительные градиенты влагосодержания вызывают напряжения и опасность появления внутренних трещин. Изменяя градиент температуры за счет темпа нагревания поверхности материала, можно добиться равномерного распределения влагосодержания внутри материала. [62]
Свойства сверхпроводников в высокочастотном поле могут быть выяснены таким же путем, как это было сделано в случае постоянного поля. Однако конкретные вычисления невозможно провести без более детальных предположений о величинах параметров, существенных в рассматриваемой задаче. Это неравенство нарушается лишь в окрестности точки перехода Ткр, где возникает область с ид - С А. [63]
При сушке в высокочастотном поле градиент влагосодержания препятствует движению влаги к поверхности. Кроме того, значительные градиенты влагосодержания вызывают напряжения и опасность появления внутренних трещин. Изменяя градиент температуры за счет темпа нагревания поверхности материала, можно добиться равномерного распределения влагосодержания внутри материала. [64]
Поведение диэлектриков в высокочастотном поле характеризуется возникающими в них диэлектрическими потерями, которые вызывают непроизводительные потери энергии в колебательном контуре и нагрев диэлектриков. [65]
Свойства сверхпроводников в высокочастотном поле могут быть выяснены таким же путем, как это было сделано в случае постоянного поля. Однако конкретные вычисления невозможно провести без более детальных предположения о величинах параметров, существенных в рассматриваемой задаче. [66]
Вблизи нижней граничной частоты высокочастотное поле существует во всем объеме штыревой гребенки в экране, а компонента электрического поля Еу Ег. Диэлектрическая проницаемость еу е 13 незначительно превышает диэлектрическую проницаемость лей-косапфира. Поэтому замедление групповой скорости вблизи нижней граничной частоты незначительно больше, чем при использовании пластины из лейкосапфира. С увеличением частоты высокочастотное поле прижимается к плоскости штырей и втягивается в тонкую пластинку, компонента электрического поля Ег возрастает, а Еу уменьшается. Поскольку ег е, то эффективная диэлектрическая проницаемость возрастает, следовательно, возрастает и замедление. При дальнейшем повышении частоты большая часть СВЧ электрического поля сосредоточивается между штырями, где кристалл отсутствует. Это приводит к снижению замедления. В определенной полосе частот благодаря противоположным действиям указанных факторов замедление остается большим и практически неизменным. Вблизи высокочастотной границы полосы пропускания, когда большая часть электрического поля сосредоточена между штырями, замедление уменьшается, а затем быстро возрастает при приближении к отсечке на верхней граничной частоте. Регулируя по высоте положение пластины MgWO4, можно изменять в некоторых пределах величину замедления и полосу частот, в которой замедление практически постоянно. Этот участок дисперсионной характеристики используется как рабочий. [67]