Cтраница 2
Для случая стационарного поля эти уравнения непосредственна переходят в подробно разобранные раньше уравнения электростатики и уравнения стационарного распределения токов ( ср. [16]
Работа сил стационарного поля зависит в общем случае от начального Mt и конечного М % положений и траектории, но не зависит от закона движения материальной точки по траектории. [17]
Первопричина возникновения стационарного поля - сторонние токи, постоянные во времени, причем положение проводников в пространстве не изменяется. [18]
Поскольку при стационарном поле скоростей линии тока совпадают с траекториями частиц, то хаос линий тока означает также стохастическое поведение пассивных примесных частиц. [19]
Это уравнение описывает стационарное поле температуры ( концентрации) в движущейся с постоянной скоростью среде при наличии объемного выделения ( поглощения) тепла, которое пропорционально температуре. [20]
Хо) определяет стационарное поле температур, которое создается единичным точечным источником, сосредоточенным в точке Хо, и, следовательно, она также является фундаментальным решением оператора Лапласа. Среди всех фундаментальных решений выделяют решения & ( х, XQ), определяемые равенствами (6.11), (6.12) и (6.13), называемые главными фундаментальными решениями. [21]
Обратно, всякое ковариантное стационарное поле, удовлетворяющее уравнениям (12.10), есть поле стационарного градиента. [22]
Стало быть, стационарное поле постоянных токов, как и поле электростатическое, должно быть полем потенциальным. [23]
Напомним, что стационарным полем физической величины QJ называется не изменяющаяся с течением времени совокупность значений этой величины во всех точках изучаемого пространства или объема. [24]
Она сохраняется в стационарном поле. [25]
Явления же в стационарных полях, как мы неоднократно указывали, могут быть одинаково хорошо истолкованы с точки зрения обеих теорий. [26]
Энергия микрочастицы в стационарном поле сохраняется. [27]
Простейшим температурным полем является одномерное стационарное поле, которое характеризуется изменением температуры в направлении одной координатной оси. [28]
Заметим, что моделирование стационарного поля методами структурного моделирования не имеет никаких преимуществ по сравнению с моделированием с помощью сеток. [29]
В целом результаты исследования стационарного поля в камере синтеза позволяют оптимизировать геометрические параметры реакционного объема, наилучшим образом размещать в нем зоны роста кристаллов и растворения исходного углесодержащего вещества, а также по положению кристалла в реакционной зоне оценивать локальные температурные условия его роста. [30]