Суммарное поле

Cтраница 3

Расчет эксплуатационных допусков основан на определении суммарного поля рассеивания погрешностей путем раздельного суммирования положительных и отрицательных средних значений MN. [31]

Возражения последнего сводились к тому, что суммарное поле всегда должно быть больше не со стороны изгиба, а с противоположной. Смит указал далее на то, что обратное движение пятна наблюдается и без существенного искривления дуги. [32]

Нетрудно проверить, что при х 0 суммарное поле и ( х, t) и0 ( х, t) Ui ( x, t) тождественно равно нулю. Для полной компенсации, таким образом, достаточно возбудить поле (7.32), отличающееся от первоначального (7.31) знаком. [33]

Общее для всех этих сил, образующих суммарное поле поверхностных сил - их периодическое, как бы волнообразное, распре-над гранью кристалла, обусловленное периодическим рас-атомов. [34]

Рассмотрим теперь представление в фазовом пространстве состояния суммарного поля. [35]

Обратное включение ся к НУЛЮ - Эта зависимость имеет р-п перехода экспоненциальный характер. [36]

Количество зарядов, способных преодолеть силы этого суммарного поля, уменьшается, соответственно уменьшается и ток диффузии. [37]

Я / 2, в связи с чем суммарное поле равно нулю. [38]

Эффект Баушингера. [39]

Влияние начальных напряжений II и III родов на суммарное поле напряжений ( начальные напряжения II и III родов плюс напряжения от нагрузки) невелико, деформации изделия в связи с ними не происходит. Но эти напряжения весьма существенно влияют на ряд механических и физических свойств материала, в частности, именно эти напряжения, возникая при пластической деформации, вызывают упрочнение металла. С остаточными напряжениями связан и так называемый эффект Баушингера. [40]

РП могут опрокинуться по отношению к внешней составляющей суммарного поля. [41]

Чтобы предсказать траекторию пятна, достаточно знать распределение суммарного поля на окружности, описанной вокруг пятна таким радиусом г, для которого направление наиболее резкого увеличения напряженности совпадает с направлением смещения пятна в каждой точке траектории. Величина г1 может быть названа эффективным радиусом взаимодействия катодного пятна с магнитным полем. [42]

Индуцированные внешним полем заряды, участвующие в создании суммарного поля, расположены на поверхности проводника. Поверхностная плотность этих зарядов аеяЕп, где Еп - нормальная составляющая вектора суммарного электрического поля на поверхности проводника; еа - абсолютная диэлектрическая проницаемость диэлектрика, окружающего проводник. [43]

Величина допуска на размер 8 должна превышать величину суммарного поля рассеивания V. Разность 8 - У является запасом точности процесса и характеризует его стабильность. [44]

Суммарный закон распределения norpeuiHociefi параметров ФУ. [45]

Страницы: 1 2 3 4