Случайное поле - напряжение
Cтраница 1
Собственное случайное поле напряжений, создаваемое полигональной структурой, состоящей из квазиэквидистантных стенок краевых дислокаций, может являться существенным для различных процессов, происходящих в ней. При Т Тпл такие поля являются замороженными, а при Т Тпл быстро исчезают. [1]
Сравним значение случайного поля напряжений полигональной структуры, состоящей из квазиэквидистантных стенок, со значением случайного поля напряжений, создаваемого хаотическими дислокациями внутри самой полигональной структуры. [2]
Перейдем к исследованию случайного поля напряжений, создаваемого полигональной структурой, которая составлена из стенок краевых дислокаций, рассмотренных выше. [3]
Полученные результаты достаточно подробно описывают характер случайного поля напряжений движущихся точечных дефектов. [4]
Формула (6.24) указывает на связь между корреляцией случайного поля напряжений и его производной по времени и корреляцией случайного поля и его производными по координате. [5]
 |
Число пересечений на единицу длины нулевого уровня случайного поля напряжений полигональной структуры внутри одного полигона. [6] |
Таким образом, с уменьшением ( d -) случайное поле напряжений уменьшается по значению, но длина ЕОЛНЫ этого поля остается неизменной и зависит только от среднего размера полигона L. Следовательно, случайное поле напряжений полигональной структуры занимает промежуточное положение между напряжением Пайерлса и напряжением хаотических дислокаций. В области вблизи границы полигона поле напряжений полигональной структуры больше или сравнимо с полем хаотических дислокаций. [7]
Аналогично можно найти спектральную плотность и различные моменты других компонент случайного поля напряжений ансамбля дислокационных петель. [8]
Аналогично можно вычислить пространственную и пространственно-временную спектральную плотности взаимной корреляционной функции различных компонент случайного поля напряжений atj точечных дефектов. [9]
Если точечные дефекты распределены в пространстве в начальный момент времени с постоянной плотностью р0, случайное поле напряжений будет статистически однородным. [10]
Сравним значение случайного поля напряжений полигональной структуры, состоящей из квазиэквидистантных стенок, со значением случайного поля напряжений, создаваемого хаотическими дислокациями внутри самой полигональной структуры. [11]
 |
Число пересечений на единицу длины нулевого уровня случайного поля напряжений полигональной структуры внутри одного полигона. [12] |
Таким образом, с уменьшением ( d -) случайное поле напряжений уменьшается по значению, но длина ЕОЛНЫ этого поля остается неизменной и зависит только от среднего размера полигона L. Следовательно, случайное поле напряжений полигональной структуры занимает промежуточное положение между напряжением Пайерлса и напряжением хаотических дислокаций. В области вблизи границы полигона поле напряжений полигональной структуры больше или сравнимо с полем хаотических дислокаций. [13]
Естественно, что такая модель более точно отражает реальную структуру, которая образуется в кристаллах при полигонизации. Оказывается, что ее внутреннее поле напряжений довольно существенно и амплитуда его вблизи границы полигона порядка или больше, чем амплитуда случайного поля напряжений хаотических дислокаций, имеющихся внутри полигональной структуры, тогда как поле последних считалось определяющим при различных процессах, происходящих внутри полигональной структуры. [14]
Страницы: 1