Магнитное поле - рассеяние - дефект
Cтраница 1
Магнитное поле рассеяния дефекта Яд тем больше, чем больше дефект и чем ближе он к поверхности, над которой проводится измерение. [1]
Магнитное поле рассеяния дефекта На тем больше, чем больше дефект и чем ближе он к поверхности, над которой проводится измерение. [2]
Магнитное поле рассеяния дефекта Нл тем больше, чем больше дефект и чем ближе он к поверхности, над которой проводится измерение. [3]
 |
Намагничивающие устройства, выполненные на основе постоянных магнитов. [4] |
Оборудование для магнитного и вихретокового контроля характеризуется наличием полеза-дающих устройств и средств обнаружения магнитного поля рассеяния дефекта. [5]
По аналогии с электростатикой им приписывают определенный магнитный заряд ( фиктивный), поверхностная плотность которого численно равна изменению намагниченности. Если в сечении детали имеет место нарушение сплошности или другая неоднородность, приводящие к изменению намагниченности, то в этом месте также образуются полюсы, поле которых образует магнитное поле рассеяния дефекта; в зарубежной литературе магнитный метод часто называют методом потоков рассеяния. [6]
При намагничивании короткой детали изделия на ее торцах создаются магнитные полюсы. По аналогии с электростатикой им приписывают определенный магнитный заряд ( фиктивный), поверхностная плотность которого численно равна изменению намагниченности. Если в сечении детали имеет место нарушение сплошности или другая неоднородность, приводящая к изменению намагниченности, то в этом месте также образуются полюсы, поле которых образует магнитное поле рассеяния дефекта; в зарубежной литературе магнитный метод часто называют методом потоков рассеяния. [7]
При намагничивании короткой детали изделия на се торцах создаются магнитные полюсы. По аналогии с электростатикой им приписывают определенный магнитный заряд ( фиктивный), поверхностная плотность которого численно равна изменению намагниченности. Если в сечении детали имеет место нарушение сплошности или другая неоднородность, приводящие к изменению намагниченности, то в этом месте также образуются полюсы, поле которых образует магнитное поле рассеяния. Магнитное поле рассеяния дефекта Яд тем больше, чем больше дефект и чем ближе он к поверхности, над которой проводится измерение. Чувствительность метода контроля зависит от типа дефекта. Дефекты обтекаемой формы с округлыми краями выявляются хуже, чем дефекты с острыми краями. Магнитное поле дефекта, индикация которого дает возможность его обнаружить, тем больше, чем выше индукция материала и меньше нормальная и дифференциальная магнитные проницаемости. В некоторых материалах ( например, легированных и высокоуглеродистых сталях) Яд имеет значительную величину при остаточной намагниченности. [8]
При намагничивании короткой дегали изделия на ее торцах создаются магнитные полюсы. По аналогии с электростатикой им приписывают оггредепенный магнитный заряд ( фиктивный), поверхностная плотность которого численно равна изменению намагниченности. Если в сечении детали имеет место нарушение сплошности или другая неоднородность, приводящие к изменению намагниченности, то в этом месте также образуются полюсы, поле которых образует магнитное поле рассеяния. Магнитное поле рассеяния дефекта Нц тем больше, чем больше дефект и чем ближе он к поверхности, над которой проводится измерение. Чувствительность метода контроля зависит от типа дефекта. Дефекты обтекаемой формы с округлыми краями выявляются хуже, чем дефекты с острыми краями. Магнитное поле дефекта, индикация которого дает возможность его обнаружить, тем больше, чем выше индукция материала и меньше нормальная и дифференциальная магнитные проницаемости. В некоторых материалах ( например, легированных и высокоуглеродистых сталях) Яд имеет значительную величину при остаточной намагниченности. [9]
 |
Зависимость нормальной составляющей поля и ее производных от ширины раскрытия дефек. [10] |
Магнитные заряды образуются не только на гранях дефекта, но и в прилегающих к ним областях. В углах дефектов плотность магнитных зарядов повышена. В расчетах абсолютных значений напряженности магнитных полей дефектов следует использовать среднее значение о0, полученное предварительно путем эксперимента на увеличенных моделях дефектов из испытуемого материала. Напряженность магнитного поля, рассеяния дефектов определяется не только его размерами, формой и расположением, но и магнитными характеристиками материала, а именно магнитной индукцией, дифференциальной и нормальной магнитными про-ницаемостями в намагниченном состоянии, соответствующем режиму контроля. Чем выше магнитная индукция материала и меньше нормальная и дифференциальная магнитные проницаемости, тем больше напряженность магнитного поля рассеяния дефекта при прочих равных условиях. [11]
Страницы: 1