Сильное магнитное поле
Cтраница 4
В сильных магнитных полях г1 независимо от механизма рассеяния, а отношение коэффициентов Холла в слабом и сильном магнитных полях позволяет найти значение г, если условие сильного магнитного поля можно реализовать. [46]
В сильных магнитных полях энергия поглощается при переходе протона с более низкого энергетического уровня на более высокие уровни. Если поле выключить, наблюдается спин-решеточная релаксация, обусловленная обратным переходом протонов на более низкие энергетические уровни. [47]
В сильном магнитном поле электрон можно представить как ориентированную магнитную стрелку с составляющей момента, либо параллельной, либо антипараллельной по отношению к полю. Эти две ориентации различаются по энергии, так что имеются два разных уровня энергии. Электроны можно заставить переходить из одной ориентации в другую наложением второго ( значительно более слабого) поля, которое меняется с определенной резонансной частотой, зависящей от напряженности основного поля. Если варьируют частоту или напряженность поля, то резонанс приводит к появлению максимума в поглощаемой мощности. При полях порядка 104 гаусс резонансная частота находится в микроволновой области. [48]
В сильном магнитном поле заряженные частицы движутся в основном вдоль силовых линий по спиральным траекториям. [49]
В сильных магнитных полях связь ядра с электронами нарушается, и они прецессируют отдельно друг от друга с характерными для них частотами. Так как гиромагнитное отношение для электронов на несколько порядков больше, чем для ядер, то при одинаковых значениях напряженности постоянного магнитного поля частота, при которой наблюдается электронный магнитный резонанс, больше частоты ядерного магнитного резонанса. Если экспериментально определить частоту магнитного резонанса, то, зная гиромагнитное отношение ядер, можно вычислить величину напряженности магнитного поля. [50]
 |
Пиковое значение проводимости ( TV3r / TN2 / ( N 1 / 2 как функция безразмерного радиуса действия а d / l гауссова потенциала рассеивателей. [51] |
В сильных магнитных полях проводимость осуществляется путем прыжков центров циклотронных орбит при рассеянии. [52]
При сильных магнитных полях и низких температурах становятся важными эффекты квантования. [53]
 |
Сложение векторов L и S в J. [54] |
В сильном магнитном поле нарушается связь векторов L и S, которая выражается в их векторном сложении. Каждый из этих момен-тов ориентируется относительно поля независимо, причем так, что их проекции ML и Ms принимают соответственно целые или полуцелые значения. [55]
В сильных магнитных полях, когда jiioH сравнимо с интервалами тонкой структуры или превышает их, расщепление уровней отклоняется от предсказываемого формулами (113.6), (113.7); это явление называют эффектом Пашена-Бака. [56]
В сильных магнитных полях, когда р, Н сравнимо с интервалами тонкой структуры или превышает их, расщепление уровней отклоняется от предсказываемого формулами (113.6), (113.7); это явление называют эффектом Пашена-Бака. [57]
В сильных магнитных полях характер эффекта Зеемана изменяется. Именно, при возрастании напряженности магнитного Поля расстояние между мультиплетами увеличивается. В очень сильных полях расщепление уровня так велико, что расстояния Между компонентами возникшего в поле мультиплета оказываются большими по сравнению с расстояниями между компонентами естественной мультиплетной структуры. Напомним, что Последняя возникает вследствие спин-орбитального взаимодействия. В этом случае формула ( 74 20) уже более неприменима, характер спектра изменяется. [58]
В сильных магнитных полях электрон движется по винтовой линии, навитой на линию магнитного поля. Докажите, что в случае, когда радиус винтовой линии настолько мал, что поле внутри нее можно считать однородным, произведение квадрата радиуса винтовой линии на индукцию магнитного поля не меняется. [59]
В сильном магнитном поле взаимодействие орбитального и спинового моментов электрона разрушается и каждый из этих моментов порознь взаимодействует с магнитным полем. При увеличении напряженности магнитного поля расщепление линий растет, пока не начинают сливаться друг с другом компоненты мультиплетов соседних спектральных линий. [60]
Страницы: 1 2 3 4