Cтраница 1
Внешнее магнитное поле, вызывающее переориентацию намагниченностей с антиферромагнитной на ферромагнитную, создает изменение сопротивления на сотни процентов даже при комнатной температуре. [1]
![]() |
Отклонение частоты и изменение мощности клистрона как функции магнитного поля, направленного по оси Z. [2] |
Внешнее магнитное поле, эрст. [3]
Внешнее магнитное поле может быть включено в уравнения движения частиц таким образом, что невозмущенные траектории в постоянном поле будут правильными спиралями плюс Ех В - дрейф с гирочастотой сос. [4]
Внешнее магнитное поле, действующее на молекулу, индуцирует в ней электрические токи различного типа: атомные, либо межатомные и диамагнитные, либо парамагнитные. [5]
Внешнее магнитное поле, наложенное на атом, определенным образом возмущает его состояние. Напишем оператор возмущающей энергии для того случая, когда в атоме осуществляется нормальная связь. [6]
Внешнее магнитное поле вызывает прецессию электронного облака в томах всех веществ, вносимых в него, а отсюда, как указывает Я. Г. Дорфман [10, 11], все вещества диамагнитны. Однако в некоторых случаях их диамагнитные свойства скрываются за более явно выраженными пара - и ферромагнитными. [7]
![]() |
Схематическое изображение последовательности двух возбуждающих импульсов ( ], 2 и огибающей сигнала электронного спинового эха ( 3. [8] |
Внешнее магнитное поле Я0 устанавливается в некотором месте неоднородноуширенной линии ЭПР и не изменяется во времени. Длительности этих импульсов выбираются одинаковыми и равными тн. [9]
Внешнее магнитное поле воздействует на движение электронов и ионов в плазме дуги. При этом меняются также форма плазмы и процессы возбуждения. [10]
Внешнее магнитное поле воздействует на частоту прецессии валентного электрона цезия только / по квадратичному закону; напряженность поля Я0э увеличивает ее величину на 427Яо гц. Этот факт используется в другом варианте [79, 81] цезиевого эталона, где однородное поперечное магнитное поле создается для получения расщепления энергетических уровней Зеемана. Частота смещенных линий имеет линейную зависимость от магнитного поля и дает удобный метод ее определения. Когда устройство используется в качестве эталона определенной частоты, магнитное поле регулируется так, чтобы частота ближайшей линии была выше частоты центральной линии точно на 500 кгц. [11]
Внешнее магнитное поле совершенно не проникает внутрь сверхпроводника первого рода. Он является идеальным диамагнетиком. [12]
Внешнее магнитное поле оказывает двоякое воздействие на электроны проводимости. С одной стороны, магнитное поле искривляет траекторию движения свободных электронов, заставляя их двигаться по винтовой линии, ось которой совпадает с направлением поля. С другой стороны, каждый электрон, обладая спиновым магнитным моментом, испытывает ориентирующее воздействие магнитного поля, что соответствует парамагнитному эффекту. Оба эффекта имеют квантовый характер, подробное рассмотрение их выходит за пределы общего курса физики, поэтому мы ограничимся лишь некоторыми общими рассуждениями описательного характера. [13]
Внешнее магнитное поле не действует на всю молекулу, но действует на отдельные электроны молекулы, магнитные моменты которых отличны от нуля. [14]
Внешнее магнитное поле сильно влияет на зонную структуру полупроводника. Изменения зонной структуры под влиянием магнитного поля приводят к коренной перестройке спектра поглощения. [15]