Дополнительное магнитное поле

Cтраница 2

Дополнительные катушки устраняют явление неопределенности показаний логометра, так как наличие дополнительного магнитного поля позволяет смещать результирующий вектор напряженности в любую желаемую сторону. Многокатушечные логометры изготовляются как с подвижными рамками, так и с подвижным магнитом. Схема конструкции трехкатушечного логометра с подвижным магнитом показана на фиг. [16]

На границе этих областей возникают механические напряжения и вследствие явления магнито-стрикции - дополнительное магнитное поле, фиксирующее ВБЛ. [17]

Если магнитные силовые линии встречают дефект в виде трещины1, то появляется дополнительное магнитное поле. Это поле усиливает то магнитное поле, которое создается над поверхностью головки рельса постоянными магнита Ми дефектоскопа. Искательное устройство воспринимает это усиление магнитного поля. [18]

Выше уже говорилось, что на электрон, находящийся вблизи ядра, действует дополнительное магнитное поле. Рассмотрим теперь более детально механизм такого сверхтонкого взаимодействия и покажем, какие сведения можно получить из анализа спектра со сверхтонкой структурой. [19]

Существует два типа установок с тороидальными камерами, принципиально различающиеся по способу создания дополнительного магнитного поля: стеллараторы и токамаки. В первых такое поле образуется токами во внешних проводниках, во вторых - током в самой плазме, направленным вдоль тора. В реальных установках для повышения надежности удержания и стабилизации плазмы, а также управления процессами, происходящими в ней, создаются и другие более слабые магнитные поля. [20]

В недавнем опыте [28] проверялась независимость отношения частот процессии ядерных спинов двух изотопов ртути от дополнительного магнитного поля, заэкранированного ферромагнитным экраном, который мог бы служить источником арионного поля, если арионы существуют. Идея опыта была основана на том, что арионно-магнитные моменты ядер не пропорциональны их магнитным моментам. [21]

Магнетиками называются вещества, которые при внесении во внешнее поле изменяются так, что сами становятся источниками дополнительного магнитного поля. При этом полная индукция магнитного поля равна сумме индукций внешнего магнитного поля и магнитного поля, порождаемого магнетиком. Изменение состояния магнетика под влиянием внешнего магнитного поля, в результате чего сам магнетик становится источником магнитного поля, называется намагничиванием магнетика. Это явление для широкого класса веществ было открыто экспериментально Фарадеем в 1845 г. Им же было установлено существование диа - и парамагнитных тел, для которых он ввел эти термины. [22]

При увеличении сварочного тока свыше 350 - 400 А сила Лоренца, образующаяся при воздействии на металл дополнительного магнитного поля, совместно с газодинамическим напором удерживает расплавленный металл от растекания по формирующим устройствам. При увеличении сварочного тока свыше 500 А для удержания расплавленного металла необходимы дополнительные технологические мероприятия. [23]

Основная задача магнитогидродинамики - расчет движения проводящей среды во внешнем магнитном поле, которое индуктирует в среде токи, создающие дополнительное магнитное поле. Взаимодействие этих токов с результирующим магнитным полем определяет специфический характер движения среды. [24]

Если его полость заполнена каким-либо веществом, то при включении тока это вещество приходит в намагниченное состояние и на поле соленоида накладывается дополнительное магнитное поле, созданное самим веществом. [25]

Значительное увеличение магнитного потока в ферромагнитных телах объясняется тем, что такие тела под действием внешнего магнитного поля сами намагничиваются и создают свое собственное дополнительное магнитное поле. [26]

Чтобы поддерживать самостоятельный газовый разряд при давлениях ниже 10 - 3 мм рт. ст., необходимо увеличить путь электрона между катодом и анодом, что достигается наложением дополнительного магнитного поля. [27]

Это объясняется тем, что для намагничивания сварных швов изделий из этих сталей до состояния технического насыщения требуется значительная напряженность приложенного магнитного поля, при котором низкокоэрцитивные ленты сами могут насыщаться и полностью терять чувствительность к дополнительным магнитным полям рассеяния от дефектов. Поэтому прежде чем применять магнитографический метод в каждом конкретном случае необходимо интересоваться магнитными свойствами контролируемого изделия, чтобы выбрать оптимальные режимы намагничивания и магнитную ленту с соответствующими характеристиками. [28]

Принципиальная схема управляющей приставки. [29]

Двухполюсный переключатель / ( 4 служит для коммутирования подмагничивающего тока. Дополнительное магнитное поле АЯ создается постоянным током от источника питания напряжением 300 в. Ток, создающий это поле, протекает через лампу Л [, причем его величина регулируется сеточным смещением при помощи переменного сопротивления R и фиксируется миллиамперметром. [30]

Страницы: 1 2 3 4