Сильное электрическое поле
Cтраница 4
В сильных электрических полях в полупроводнике могут происходить физические процессы, приводящие к изменению удельной проводимости полупроводника; вольт-амперная характеристика полупроводника перестает подчиняться закону Ома; может изменяться как концентрация носителей заряда, так и их подвижность. [46]
 |
Туннели-рование электронов из валентной зоны в зону проводимости при сильном электрическом поле в полупроводнике. [47] |
В сильных электрических полях скорость дрейфа носителей заряда соизмерима с тепловой скоростью; носители заряда на длине свободного пробега приобретают в электрическом поле энергии, соответствующие кинетическим энергиям теплового хаотического движения. При этом распределение носителей заряда по энергетическим уровням соответствует большим температурам, чем температура кристаллической решетки, которая остается практически неизменной. Это явление называют иногда разогревом носителей. На подвижность носителей явление разогрева может влиять по-разному. [48]
 |
Прямой переход электрона из валентной зоны в зону проводимости полупроводника.| Непрямой переход электрона из валентной зоны в зону проводимости полупроводника. [49] |
В сильных электрических полях свободные электроны, приобретая дополнительную энергию, превышающую ЛЭь получают возможность перейти в боковые долины. Там они характеризуются большей эффективной массой ( станут тяжелыми) и малой подвижностью. По этой причине средняя подвижность всех свободных электронов с увеличением напряженности электрического поля уменьшается. Подвижности легких и тяжелых электронов могут отличаться в десятки раз. [50]
В сильном электрическом поле связь между L и S нарушается. [51]
В сильном электрическом поле, как указывалось, происходит расщепление молекул диэлектрика на ионы и тело, которое в слабом поле было диэлектриком, становится проводником. Напряженность электрического поля, при которой начинается ионизация молекул диэлектрика, называется пробивной напряжен ностью ( электрической прочностью) диэлектрика. Величина напряженности электрического поля, которая допускается в диэлектрике при его использовании в электрических установках, называется допустимой напряженностью. Допустимая напряженность обычно в несколько раз меньше пробивной. [52]
В сильных электрических полях подвижность ионов нелинейно увеличивается с ростом напряженности. [53]
 |
При токе в 1 а через поперечное сечение проводника в 1 сек 6 29 - 1818 электронов. [54] |
В сильных электрических полях все изоляторы также становятся проводниками с электронной и ионной проводимостями. В них возникает пробой, вызывающий ионизацию электрически нейтральных атомов и молекул. [55]
 |
Зависимость дрейфовой скорости и подвижности носителей заряда от напряженности электрического поля. [56] |
В сильных электрических полях скорость дрейфа носителей заряда соизмерима с тепловой скоростью; носители заряда на длине свободного пробега приобретают в электрическом поле энергии, соответствующие кинетическим энергиям теплового хаотического движения. При этом распределение носителей заряда по энергетическим уровням соответствует большим температурам, чем температура кристаллической решетки, которая остается практически неизменной. Это явление называют иногда разогревом носителей. На подвижность носителей явление разогрева может влиять по-разному. [57]
 |
Зависимость электропроводности от температуры для собственного полупроводника.| Зависимость электропроводности полупроводника с различной концентрацией примесей. [58] |
В сильных электрических полях наблюдается нарушение линейности закона Ома / а. Минимальную напряженность электрического поля, начиная с которой не выполняется линейная зависимость тока от напряжения, называют критической. Эта граница не является резкой и определенной и зависит от природы полупроводника, концентрации примесей, температуры окружающей среды. [59]
В сильных электрических полях ( если напряженность поля превышает некоторое критическое значение) развивается пробой полимера, связанный с резким возрастанием силы электрического тока в сравнительно узком канале и последующим разрушением диэлектрика в этом канале. Экспериментально определяют либо пробивное напряжение Unp для образцов данной конструкции при заданных условиях испытания, либо время развития пробоя тж при заданном напряжении U на электродах образца. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5