Суммарное электрическое поле - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Идиот - это член большого и могущественного племени, влияние которого на человечество во все времена было подавляющим и руководящим. Законы Мерфи (еще...)

Суммарное электрическое поле

Cтраница 2


Первый отличный от нуля член этого разложения как раз и обусловлен электрическими полями плазменных частиц и пропорционален скалярному произведению вектора дипольного момента системы пробных частиц на вектор напряженности суммарного электрического поля плазменных частиц.  [16]

Отсюда следует так называемый метод зеркального изображения, согласно которому вторичное поле в верхнем полупространстве не изменится, если мы удалим проводящую плоскость и в зеркальной точке поместим источник с током, равным по величине току в истинном источнике и имеющем направление, при котором тангенциальная составляющая суммарного электрического поля на поверхности рассматриваемой плоскости равна нулю.  [17]

В первом случае электрон, вылетевший с поверхности катода, описывая дугу эпициклоиды, оказывается в поле резонатора в тот момент, когда вектор тангенциальной составляющей поля противоположен по направлению вектору скорости электрона в верхней части витка. Суммарное электрическое поле в точке 5 характеризуется вектором § Ов, отклоненным от радиального направления влево. В результате поверхность качения образующей окружности искривляется и электрон, описав виток, оказывается у поверхности катода с некоторым запасом энергии, которую он и рассеивает в виде тепла при соударении с катодом. Таким образом, большинство электронов, вылетающих с катода против резонаторов, поле которых характеризуется рассмотренной фазой, удаляются на катод. Исключение могут составить лишь те электроны, начальная скорость которых позволит им остаться в пространстве взаимодействия. Взаимодействие этих электронов с радиальной составляющей приводит к уменьшению плотности электронного потока в этой области поля.  [18]

Индуцированные внешним полем заряды, участвующие в создании суммарного поля, расположены на поверхности проводника. Поверхностная плотность этих зарядов аеяЕп, где Еп - нормальная составляющая вектора суммарного электрического поля на поверхности проводника; еа - абсолютная диэлектрическая проницаемость диэлектрика, окружающего проводник.  [19]

20 Замедляющие структуры с отрицательной взаимоиндуктивной. [20]

Частотная характеристика периодического волновода может быть определена путем зондовых измерений в короткозамкнутом отрезке волновода. Во время таких измерений следует соблюдать, осторожность, поскольку зонд реагирует на суммарное электрическое поле всех пространственных гармоник, в то время как обычно необходимо определить лишь длину волны основной пространственной гармоники. Другой метод основан на том факте, что длина, основной волны в линии однозначно определяется фазой поля внутри канавок.  [21]

Вследствие интерференции этих полей в окрестности вибратора образуется сложная картина распределения суммарного поля. В частности, на поверхности вибратора ( если он выполняется из идеального проводника) тангенциальная составляющая напряженности суммарного электрического поля и нормальная составляющая напряженности суммарного магнитного поля равны нулю.  [22]

Дело в том, что в обоих случаях частица в собственной системе отсчета ускоряется электрическим полем. Для нее не важно, каково происхождение поля: испытывает ли она постоянное ускорение в однородном магнитном поле или в суммарном электрическом поле отдельных фотонов. Заметим, что в формулы для некогерентного излучения всегда входит квадрат электрического поля, поэтому складываются именно энергии.  [23]

24 Схема включения трподов. [24]

Сетка триода механически не препятствует прохождению электронов с катода на анод, они свободно проникают между ее витками. Но в момент нахождения в пространстве между катодом и сеткой электроны подвергаются воздействию электрического поля сетки. Следовательно, в этот момент электроны находятся лод воздействием суммарного электрического поля анода и сетки.  [25]

При отсутствии внешнего электрического поля сегнетоэлектрик представляет собой как бы мозаику из доменов - областей с различными направлениями поляр изо ван-ности. Так как в смежных доменах эти направления различны, то в целом дипольный момент диэлектрика равен нулю. При внесении оегнетоэлектрика во внешнее поле происходит переориентация дипольных моментов доменов по полю, а возникшее при этом суммарное электрическое поле доменов будет поддерживать их некоторую ориентацию и после прекращения действия внешнего поля.  [26]

Электрическое поле разомкнутой цепи, содержащей гальванический элемент или аккумулятор, мало отличается от поля той же цепи, но замкнутой проводом, имеющим чрезвычайно большое сопротивление. Но в последнем случае в цепи циркулирует хотя бы исчезающе малый ток и ясно обнаруживается замкнутость линии тока, так как электричество нигде не накапливается, а, стало быть, обнаруживается также замкнутость хотя бы небольшой части силовых линий. С другой стороны, очевидно, что при разомкнутой цепи электрохимические силы и процессы, которые побуждают внутри электролита положительные заряды перемещаться к аноду х), уравновешены электростатическим отталкиванием положительных зарядов, уже собравшихся на аноде. Иначе говоря, итоговое, суммарное электрическое поле внутри электролита при разомкнутой цепи отсутствует.  [27]

Суть в том, что анализ разделяется на две части. Одна часть говорит, что что-то создает поле, а другая - что оно действует на что-то. Позволяя нам рассматривать две части независимо, это разделение упрощает во многих случаях расчеты трудных задач. Когда зарядов много, то сперва мы рассчитываем суммарное электрическое поле, создаваемое этими зарядами в R, а потом, зная величину заряда, помещенного в R, находим силу, действующую на него.  [28]

При увеличении интенсивности возбуждающего света возникает вынужденное комбинационное рассеяние света. Оно обусловлено тем, что возникшее в результате рассеяния излучение на комбинационных частотах в свою очередь становится возбуждающим излучением, которое действует на молекулы рассеивателя. Благодаря этому в молекулах происходит раскачка колебаний, приводящая к усилению пербизлучения на комбинационных частотах. Если рассмотреть этот процесс в классической модели излучения по этапам, то он развивается следующим образом. Благодаря этому потенциальная энергия взаимодействия ядер в молекуле изменяется на величину, пропорциональную произведению дипольного момента на квадрат суммарного электрического поля.  [29]

Этот результат имеет очень наглядное физическое объяснение. При создании градиента температур возникает диффузионный поток носителей заряда. Следовательно, потоки носителей заряда вдоль и против V71 должны быть равны, но так как носители заряда, идущие вдоль VT ( к горячему концу), имеют меньшую энергию, чем носители заряда, идущие против VT ( к холодному концу), то происходит перенос энергии от горячего конца к холодному без переноса заряда. Теплопроводность при этом оказывается сравнительно небольшой, и она не зависит от положения уровня Ферми, поскольку весь эффект основан на разности энергий потоков носителей заряда, идущих от горячего и холодного концов образца. Если же в полупроводнике имеются носители заряда двух типов разного знака, то диффузионные потоки носителей заряда приводят к возникновению электрических полей, направленных в противоположные стороны. Поэтому суммарное электрическое поле будет небольшим - оно должно, удовлетворять условию j 0, но одинаково направленные потоки носителей заряда разного знака дают токи, противоположно направленные. Поскольку электрическое поле мало, оно не препятствует движению носителей заряда, поэтому поток частиц будет большим. При этом он обусловлен градиентом концентрации, однако выравнивания концентраций не произойдет, поскольку в области горячего конца происходит непрерывное преимущественное рождение пар носителей заряда, а в области холодного конца рекомбинация носителей заряда превалирует над их генерацией. Но при каждой рекомбинации пары носителей заряда выделяется энергия А о, затраченная на их генерацию на горячем конце.  [30]



Страницы:      1    2    3