Управляющее электрическое поле

Cтраница 1

Управляющее электрическое поле, переориентируя молекулы ЖК, превращает Г - структуру в однородную, при этом оптическая активность ЖК управляемым образом изменяется. [1]

Модуляция света электрооптическим кристаллом. [2]

При создании затворов из DKDP свет, как правило, направляют вдоль оптической оси кристалла и по этому же направлению прилагают управляющее электрическое поле. [3]

В аналоговых дефлекторах из электрооптических кристаллов используется изменение направления светового луча, проходящего через электрооптический элемент, обусловленное изменением показателя преломления при наложении а кристалл управляющего электрического поля. [4]

Пьезокерамические материалы - это синтезированные керамическим способом сегнетоэлектрики, которые под воздействием внешнего электрического поля приобретают пьезоэлектрические свойства и ста новятся пьезоэлектриками. Если приложить к пьезоэлектрикам управляющее электрическое поле, то они в результате обратного пьезоэф-фекта деформируются и изменяют свои геометрические размеры. [5]

Первый способ применяют в ПВМ матричного типа: поверхность такого ПВМ разбита на ячейки, к каждой из которых приложено электрическое поле заданной напряженности. Таким образом, напряженность управляющего электрического поля зависит от пространственных координат. [6]

Из-за своей подвижности жидкие кристаллы легко изменяют свойства под воздействием электрического, магнитного и других полей. Для изменения свойств жидких кристаллов обычно используется управляющее электрическое поле. Индикатор на жидких кристаллах подобен электрическому конденсатору с двумя стеклянными пластинами, внутренние поверхности которых покрыты электропроводящим слоем ( электродами), а между ними находится слой жидких кристаллов толщиной 10 - 20 мкм. Каждая цифра индикатора обычно состоит из 7 - 8 отдельных сегментов, включаемых на выходе коммутационных схем на транзисторах или микросхемах. [7]

К числу простейших устройств этой группы относится клистрон. Принцип его действия вкратце сводится к следующему. Электронный пучок проходит через управляющее электрическое поле, действующее вдоль направления движения электронов, и, следовательно, ускоряющее или замедляющее электроны, в зависимости от знака поля. По выходе из зоны действия управляющего поля электронный пучок оказывается модулированным по скорости. Затем пучок вступает в пространство дрейфа ( или пространство группирования), где внешние поля на электрон не воздействуют; здесь более быстрые электроны догоняют более медленные и образуются электронные сгустки. [8]

Разновидности полевых транзисторов. Знаками и - указаны нормальные полярности питающих напряжений затвора ( числитель и стока ( знаменатель относительно истока.| Структуры полевых транзисторов с р-п переходами. [9]

В отличие от биполярных транзисторов, в которых рабочие процессы обусловлены как основными, так и неосновными носителями, в полевом транзисторе управляемый ток представляет собой поток основных носителей через полупроводник с одним типом проводимости. Поэтому полевые транзисторы называются также униполярными. Ввиду невозможности создания глубоко проникающего в толщу полупроводника управляющего электрического поля во всех полевых транзисторах, по крайней мере на части своего пути, поток основных носителей сосредоточивается в тонком слое - канале, сопротивлением которого удается управлять с помощью электрического поля, создаваемого затвором, Отсюда происходит еще одно название полевых транзисторов - канальные транзисторы. [10]

Электрическая перестройка частоты пьезорезонатора. [11]

Очевидным применением электроуправляемого пьезоэффекта является возможность перестройки фильтров объемных и поверхностных волн. Электроуправляемые фильтры объемных волн могут найти применение в частотных и фазовых модуляторах, параметрических усилителях, позволяя реализовать новые радиотехнические устройства. В материалах, применяемых для таких фильтров, электромеханическая связь, пьезомодуль и добротность изменяются в управляющем электрическом поле. [12]

Низкая скорость звука свидетельствует о большой податливости упругих свойств сегнетоэластиков. Поэтому они применяются в оптике для дефлекторов света ( осуществляющих пространственное сканирование светового луча, см. гл. Упругие волны, возбуждаемые пьезоэлектрическим способом с частотой 30 - 300 МГц, образуют в сегнетоэластике ( или параэластике) как бы дифракционную решетку, шаг которой зависит от частоты управляющего электрического поля. Изменяя частоту, можно управлять углом отклонения светового луча. [13]

В транзисторе используется движение носителей заряда только одного знака ( основных носителей), которые из истока через канал движутся в сток. Затвор является управляющим электродом. Электрическое поле, возникающее при приложении напряжения между затвором и истоком, изменяет проводимость канала и, следовательно, ток через канал. Это управляющее электрическое поле направлено перпендикулярно движению носителей в канале и может быть названо поперечным. Носители в канале движутся от истока к стоку под действием продольного электрического поля ( направленного вдоль канала), создаваемого напряжением между стоком и истоком. [14]

Для получения относительно больших перемещений ( до 0 6 10 - 8м) пользуются так называемыми биморфными элементами. Однако развиваемые ими усилия малы, что ограничивает области их применения. Тэиморфные пьезоэле-менты состоят из двух смежных пьезо-керамических пластинок, иногда с металлической прокладкой между ними. Каждая сторона пластинки металлизована. Биморфные элементы механически закрепляют с одного конца. При приложении управляющего электрического поля в пластинах появляются растягивающие напряжения вдоль направления поля и биморфный элемент изгибается. [15]

Страницы: 1