Приложенное электрическое поле

Cтраница 1

Смещение сферической поверхности Ферми под действием приложенного электрического поля. [1]

Приложенное электрическое поле вызывает искажение функции распределения. [2]

Приложенное электрическое поле приводит к связи х - и - поляризованных волн. [3]

Величина приложенного электрического поля управляет количеством носителей заряда на поверхности и, тем самым, величиной проводимости прибора. [4]

Под действием приложенного электрического поля вследствие обратного пье-зоэффекта происходит деформация кристаллической решетки, и, следовательно, возникает изменение скоростей акустических волн. [5]

Под воздействием приложенного электрического поля положительно и отрицательно заряженные свободные частицы движутся в противоположные стороны. Поэтому движение положительных зарядов внешне проявляется точно так же. [6]

Под действием приложенного электрического поля начинается ускоренное движение электронов по направлению к нити, а положительных ионов-к цилиндру. Электроны, обладая меньшей массой, движутся значительно быстрее тяжелых положительных ионов. [7]

Под влиянием приложенного электрического поля они движутся с достаточно высокой скоростью и поэтому мощность шума достигает относительно больших значений. [8]

Под влиянием приложенного электрического поля эти дефекты могут перемещаться по кристаллу, чем объясняется электролитическая проводимость ионных кристаллов. Миграция незанятого места в решетке эквивалентна, конечно, движению нона в противоположном направлении. Число таких дефектов, а поэтому и электролитическая проводимость являются для данного кристалла определенной функцией температуры; в частности, расплавленные полярные соли представляют собой хорошие проводники электричества, например, NaCl имеет электропроводность, равную 3 5 ом-1 CM-i при 850 С. При температурах немного ниже точки плавления эти соли имеют электропроводность порядка 10 - 4 ом-1. [9]

Под влиянием приложенного электрического поля эти дефекты могут перемещаться по кристаллу, чем и объясняется электролитическая проводимость ионных кристаллов. Перемещение незанятого места в решетке эквивалентно движению иона в противоположном направлении. [10]

Характер изменения электронной температуры в столбе плазмы для любых газов. [11]

Под влиянием приложенного электрического поля они движутся с высокой скоростью, и поэтому мощность шума достигает относительно больших значений. [12]

Под действием приложенного электрического поля происходит процесс поляризации не только в любом малом объеме диэлектрика, но и в каждой отдельной молекуле, независимо от того, имела или не имела она в отсутствие поля постоянный дипольный момент. [13]

Соотношение между приложенным электрическим полем и возникающим движением носителя принято называть нелокальным, если электрическое поле заметно меняется на длине свободного пробега L. [14]

Плотность тока j пропорциональна напряженности приложенного электрического поля. Таким образом, для несамостоятельного газового разряда в слабых электрических полях выполняется закон Ома. [15]

Страницы: 1 2 3 4