Сложный закон - распределение
Cтраница 1
Сложный закон распределения т и k для карбонатных коллекторов обусловлен тем, что карбонатные коллекторы представляют собой, как правило, неоднородные статистические совокупности, состоящие из нескольких однородных совокупностей или компонентов. [2]
Со сложным законом распределения уровней, образующих вогнуто-выпуклую кривую как на простой, так и на логарифмической клетчатке. [3]
Расчет цепи ввиду сложного закона распределения усилий по зубьям звездочек затруднителен и ненадежен. Цепь выбирается на основе опытных данных. [4]
При сложном характере поступления заявок на обслуживание и сложном законе распределения обслуживания процесс может быть проанализирован лишь при использовании ЭВМ. [5]
Достоинством описанной процедуры является простота и возможность применения для формирования случайных чисел с как угодно сложным законом распределения. [6]
Вывод строгого выражения для ионизационного тока при промежуточных значениях напряжений связан со значительными трудностями, которые определяются сложным законом распределения ионов по объему камеры при различных величинах силы тока. Удается вывести лишь приближенные соотношения, которые здесь не рассматриваются. [7]
Такого же рода вычисления, но несравненно более сложные, приходится производить для определения изгибающих моментов в свободно падающем, но затем спасаемом ракетном блоке многократного использования. Сначала устанавливается закон распределения аэродинамических сил по длине блока. Затем находят ускорения центра масс и угловые ускорения при вращении около центра масс. Это дает возможность найти сложный закон распределения даламберовых сил по длине блока. В итоге образуется система самоуравновешенных сил ( вес, аэродинамические и даламберовы силы), для которых уже и строится мгновенная эпюра изгибающих моментов. [8]
Широкое распространение получают ионно-лучевые методы изготовления электрического перехода диода. При ионной имплантации легирование пластины полупроводника осуществляется бомбардировкой примесными ионами, ускоренными до высоких энергий. Концентрация примесей в имплантированном слое зависит от плотности тока в ионном луче и времени экспозиции. Высокая контролируемость процесса и низкая температура позволяют проводить ионную имплантацию на любой стадии процесса изготовления диода. Глубина проникновения ионов в полупроводник зависит от их энергии. Изменяя энергию ионов, можно обеспечить сложный закон распределения примесей по глубине. [9]
При индукционном нагреве металлов в качестве важнейших используются критерии, отражающие качество нагрева, производительность, энергетические показатели. Рассмотрим вначале оптимизацию конструктивных параметров индукционных установок по критерию обеспечения максимального приближения температурного поля заготовок к требуемому. В технологической линии обработки цилиндрических заготовок из алюминиевых сплавов индукционная печь - пресс наиболее слабым звеном с точки зрения производительности является пресс. Как было показано в работе [156] и других, скорость прессования может быть значительно увеличена за счет создания градиента температуры по длине заготовки. Поэтому задача проектирования установок, позволяющих нагревать заготовки с заранее заданным распределением температуры по длине, является актуальной. Индукционные нагревательные устройства в силу их специфических особенностей наиболее перспективны для формирования температурных полей со сложными законами распределения, в частности для градиентного нагрева заготовок. [10]
Страницы: 1