Внешнее электрическое поле

Cтраница 3

Внешнее электрическое поле, параллельное обкладкам, создает по отношению к такому конденсатору напряжение сдвига ТЕ ( см. гл. [31]

Внешнее электрическое поле влияет на сопротивление запирающего электрического поля. Если - полупроводник подключен к отрицательному полюсу источника, а плюс источника соединен с р-полупроводником, то под действием электрического поля электроны в - полупроводнике и дырки в р-полупроводнике будут двигаться навстречу друг другу к границе раздела полупроводников. Электроны, переходя границу, заполняют дырки. В этом направлении электрический ток проходит через границу двух полупроводников. [32]

Внешнее электрическое поле широко используется в процессах обезвоживания и обессоливания нефтей для интенсификации коалес-ценции отдельных капель. Рассмотрим на примере поведения пары капель механизм их взаимодействия. Будем считать, что капли не деформируются, что эквивалентно замене их двумя жесткими сферами. [33]

Результаты измерений сопротивления жесткой диафрагмы. [34]

Внешнее электрическое поле действует на заряды двойного электрического слоя: коллоидная частица и диффузные противо-ионы перемещаются в сторону электродов с противоположными знаками. Смещение дисперсной фазы относительно дисперсионной среды происходит по поверхности скольжения. Направление движения частиц дисперсной фазы определяет их знак заряда. [35]

ЛО. Влияние преимущественного теплоотвода от зоны трения на суммарный линейный износ зубчатых колес из алюминиевого сплава. [36]

Внешнее электрическое поле является фактором, влияющим на процесс изнашивания. [37]

Внешнее электрическое поле вызывает анизотропию среды вследствие определенной ориентации. [38]

Внешнее электрическое поле действует на кинетику роста кристаллов как в объеме жидкости, так и на поверхности труб. При этом изменения в кристаллической решетке парафина изменяют и реологические свойства отложений, в результате чего уменьшаются силы сцепления парафина со стенкой. [39]

Внешнее электрическое поле во всех изученных случаях понижает Jo, причем для веществ с нечетны1; числом мстиле-новых звеньев такое понижение идет уже при более слабых полях, тогда как для четных - при более сильных. [40]

Внешнее электрическое поле приводит к снижению потенциального барьера у поверхности тела, а следовательно, к снижению работы выхода. [41]

Относительно внешнего электрического поля предположим, что оно обладает цилиндрической симметрией. [42]

Это внешнее электрическое поле накладывается на поле атомов в решетке. В полупроводнике в отсутствие внешнего поля энергия электрона на дне зоны проводимости не зависит от положения электрона в объеме: она во всех точках одинакова и на графиках рис. 1.4 и других дно зоны проводимости изображается прямой горизонтальной линией. На такую же величину искривляется и верхняя граница заполненной зоны, так что, как и отмечалось выше, ширина запрещенной зоны не изменяется. Так как в состоянии равновесия уровень химического потенциала во всех частях системы проходит на одной высоте, то его положение не изменяется и изображается по-прежнему прямой линией. [43]

Это внешнее электрическое поле накладывается на поле атомов в решетке. [44]

Плоскостное изображение кристалла кремния или германия. [45]

Страницы: 1 2 3 4